Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N6661
2N6661

2N6661 Microchip Technology

20005516A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1126.86 грн
25+994.65 грн
100+958.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6661 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 6.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.

Інші пропозиції 2N6661 за ціною від 1093.72 грн до 1557.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N6661 2N6661 Microchip Technology 20005516A.pdf MOSFETs 90V 4Ohm
на замовлення 978 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1207.63 грн
25+1093.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1424.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1557.74 грн
25+1428.99 грн
100+1402.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1557.74 грн
25+1428.99 грн
100+1402.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 MICROCHIP MCHP-S-A0001708798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 20005516A.pdf
2N6661
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 90V 4Ohm
на замовлення 978 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1207.63 грн
25+1093.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1424.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1424.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1557.74 грн
25+1428.99 грн
100+1402.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 72720005516a.pdf
2N6661
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1557.74 грн
25+1428.99 грн
100+1402.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 MCHP-S-A0001708798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N6661
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.