Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N6661
2N6661

2N6661 Microchip Technology

72720005516a.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1063.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6661 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2N6661 за ціною від 932.92 грн до 2447.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N6661 2N6661 Виробник : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1073.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Microchip Technology 20005516A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1097.39 грн
25+968.31 грн
100+932.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1156.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1195.64 грн
25+1176.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0001708798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1234.91 грн
25+1131.52 грн
100+1114.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Microchip Technology 20005516A-3443187.pdf MOSFETs 90V 4Ohm
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1252.13 грн
25+1132.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1887.17 грн
10+1631.89 грн
25+1506.36 грн
50+1445.44 грн
100+1289.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+2447.35 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Semelab 2n6661.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Vishay 1265374748351242n6661ja.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : Semelab (TT electronics) 2n6661.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005516A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 350mA; Idm: 3A; TO39
Drain-source voltage: 90V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3A
Mounting: THT
Case: TO39
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005516A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 350mA; Idm: 3A; TO39
Drain-source voltage: 90V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 3A
Mounting: THT
Case: TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.