Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N6661
2N6661

2N6661 Microchip Technology

20005516A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1053.07 грн
25+929.34 грн
100+895.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6661 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 6.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.

Інші пропозиції 2N6661

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N6661 2N6661 MICROCHIP 20005516A.pdf Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 2N6661 Microchip Technology 20005516A-3443187.pdf MOSFETs 90V 4Ohm
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 20005516A.pdf
2N6661
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661 20005516A-3443187.pdf
2N6661
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 90V 4Ohm
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.