Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > 2N6668 TIN/LEAD
2N6668 TIN/LEAD

2N6668 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp

LSSGP092.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220-3
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 20MHz
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6668 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp

Description: TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220-3, Power - Max: 65 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 20MHz, Transistor Type: PNP - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2N6668 TIN/LEAD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N6668 TIN/LEAD Central Semiconductor lssgp092-1652431.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 10A 65W 80Vcbo 80Vceo 5.0A 20MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6668 TIN/LEAD lssgp092-1652431.pdf
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 10A 65W 80Vcbo 80Vceo 5.0A 20MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.