2N696

2N696 Central Semiconductor


2n696.pdf Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-39 Box
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N696 Central Semiconductor

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 600 mW.

Інші пропозиції 2N696 за ціною від 2107.01 грн до 2301.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N696 2N696 Виробник : Microchip Technology 2N696_2N696S_2N697_2N697S_MIL_PRF_19500_99-3442402.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2301.29 грн
25+2107.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N696 2N696 Виробник : Central Semiconductor 2n696.pdf Trans GP BJT NPN 3-Pin TO-39 Box
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N696 Виробник : MOTOROLA 6136-2n696-datasheet
на замовлення 26600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N696
Код товару: 149858
Додати до обраних Обраний товар

6136-2n696-datasheet Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N696 2N696 Виробник : Microchip Technology 2n696.pdf Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N696 2N696 Виробник : Microchip Technology 2n696.pdf Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N696 2N696 Виробник : Microchip Technology 6136-2n696-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.