Технічний опис 2N696S MOT
Description: NPN TRANSISTOR, Power - Max: 600 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N696S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
; ; 3.jpg "2N696S") |
2N696S | Microchip Technology |
 Description: NPN TRANSISTORPower - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N696S | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N696S |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: NPN TRANSISTOR
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N696S |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.