2N697

2N697 Microchip Technology


2N696-1593428.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1220.55 грн
25+ 1202.35 грн
100+ 972.27 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N697 Microchip Technology

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 600 mW.

Інші пропозиції 2N697

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N697 Виробник : MOT/ON 6136-2n696-datasheet
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N697 2N697 Виробник : Microchip Technology 2n696.pdf Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N697 2N697 Виробник : Microchip Technology 2n696.pdf Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N697 2N697 Виробник : Microchip Technology 2n696.pdf Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N697 2N697 Виробник : onsemi 6136-2n696-datasheet Description: TRANS NPN 40V TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товар відсутній
2N697 Виробник : Microchip Technology 6136-2n696-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 600 mW
товар відсутній
2N697 Виробник : onsemi 6136-2n696-datasheet onsemi
товар відсутній