Технічний опис 2N6989 Microchip Technology
Description: TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116, Packaging: Bulk, Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 4 NPN (Quad), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 1.5W, Current - Collector (Ic) (Max): 800mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-116.
Інші пропозиції 2N6989
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6989 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 1500mW 14-Pin TO-116 Tube |
товару немає в наявності |
|
| 2N6989 | Виробник : MICROSEMI |
14_PIN_DIPNPN QUAD TRANSISTOR кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
2N6989 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 Packaging: Bulk Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 4 NPN (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-116 |
товару немає в наявності |