Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > 2N7000-G

2N7000-G

2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
Код товару: 182408
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2N7000-G за ціною від 24.14 грн до 48.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
25+27.40 грн
100+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP 2337817.pdf Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf 2N7000-G
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.14 грн
25+38.91 грн
100+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf 2N7000-G
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+45.90 грн
357+39.58 грн
397+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf 2N7000-G
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+47.97 грн
500+45.46 грн
1000+44.19 грн
3000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf 2N7000-G
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.80 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf 2N7000-G
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.02 грн
25+27.40 грн
100+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2337817.pdf
2N7000-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
Виробник: Microchip Technology
2N7000-G
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.14 грн
25+38.91 грн
100+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
Виробник: Microchip Technology
2N7000-G
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
308+45.90 грн
357+39.58 грн
397+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
Виробник: Microchip Technology
2N7000-G
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
295+47.97 грн
500+45.46 грн
1000+44.19 грн
3000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
Виробник: Microchip Technology
2N7000-G
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
290+48.80 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
Виробник: Microchip Technology
2N7000-G
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.