Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > 2N7000-G

2N7000-G

2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
Код товару: 182408
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2N7000-G за ціною від 21.62 грн до 56.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.44 грн
25+30.51 грн
100+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
25+27.43 грн
100+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP 2337817.pdf Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.02 грн
25+34.95 грн
100+33.80 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.93 грн
25+26.16 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+53.50 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.41 грн
500+45.46 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
653+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+33.44 грн
25+30.51 грн
100+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.02 грн
25+27.43 грн
100+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2337817.pdf
2N7000-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+36.02 грн
25+34.95 грн
100+33.80 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+41.93 грн
25+26.16 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
264+53.50 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
251+56.41 грн
500+45.46 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.