2N7000-G

2N7000-G Microchip Technology


-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
582+20.99 грн
584+20.90 грн
598+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 582
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7000-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N7000-G за ціною від 23.92 грн до 68.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+27.54 грн
28+25.65 грн
100+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
439+27.81 грн
479+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+33.70 грн
25+29.79 грн
100+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
25+28.29 грн
100+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology 2N7000_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3441670.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.76 грн
25+31.25 грн
100+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : MICROCHIP 2337817.pdf Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.13 грн
25+34.45 грн
100+30.40 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.42 грн
15+27.21 грн
16+25.01 грн
100+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.91 грн
9+33.91 грн
10+30.02 грн
100+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G
Код товару: 182408
Додати до обраних Обраний товар

2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-G 2N7000-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000G 2N7000G Виробник : ON Semiconductor 2n7000-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000G Виробник : ON Semiconductor 2n7000-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000G 2N7000G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000G 2N7000G Виробник : onsemi NDS7002A_D-1522662.pdf MOSFETs 60V 200mA N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.