2N7000BU ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA; 2N7000 T2N7000
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7000BU ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.
Інші пропозиції 2N7000BU за ціною від 6.87 грн до 40.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7000BU | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 26842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N7000BU | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N7000BU | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 5524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N7000BU | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 8505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N7000BU | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 5524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N7000BU | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
на замовлення 8505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N7000BU | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 8679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N7000BU | onsemi |
MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig |
на замовлення 26212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2N7000BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 5193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 26842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3334+ | 10.58 грн |
| 10000+ | 9.44 грн |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1039+ | 13.59 грн |
| 2500+ | 12.48 грн |
| 5000+ | 12.31 грн |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 5524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 872+ | 16.20 грн |
| 1377+ | 10.25 грн |
| 1834+ | 7.70 грн |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 8505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 819+ | 17.24 грн |
| 1294+ | 10.91 грн |
| 1507+ | 9.37 грн |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 5524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.65 грн |
| 47+ | 16.36 грн |
| 50+ | 16.20 грн |
| 100+ | 9.89 грн |
| 500+ | 6.87 грн |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 8505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.28 грн |
| 44+ | 17.40 грн |
| 50+ | 17.24 грн |
| 100+ | 10.52 грн |
| 500+ | 8.37 грн |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 8679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.67 грн |
| 13+ | 24.48 грн |
| 50+ | 17.82 грн |
| 100+ | 14.69 грн |
| 500+ | 11.11 грн |
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 26212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 5193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





