Продукція > COMCHIP TECHNOLOGY > 2N7002-G
2N7002-G

2N7002-G Comchip Technology

2N7002_G_RevB201450.pdf
Виробник: Comchip Technology
MOSFETs BVDD=60V ID=200mA
на замовлення 19482 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.91 грн
17+18.60 грн
100+10.31 грн
500+6.47 грн
1000+5.72 грн
3000+4.89 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 12 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002-G Comchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm.

Інші пропозиції 2N7002-G за ціною від 6.40 грн до 60.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 52n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.21 грн
25+35.47 грн
100+32.51 грн
250+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G onsemi 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf MOSFETs FET 60V 5.0 OHM
на замовлення 123297 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+41.52 грн
11+28.38 грн
100+15.65 грн
500+9.86 грн
1000+8.73 грн
3000+7.37 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.80 грн
14+32.01 грн
15+28.70 грн
31+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 11265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.23 грн
25+36.62 грн
100+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 52n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.95 грн
3000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf MOSFETs 60V 7.5Ohm
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+48.28 грн
25+40.15 грн
3000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 52n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 52n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 52n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G MICROCHIP MCHP-S-A0006189945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 52n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G Comchip Technology 102n7002-grevb201450.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/G PHILIPS SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 52n7002.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+37.21 грн
25+35.47 грн
100+32.51 грн
250+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf
2N7002-G
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM
на замовлення 123297 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.52 грн
11+28.38 грн
100+15.65 грн
500+9.86 грн
1000+8.73 грн
3000+7.37 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf
2N7002-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.80 грн
14+32.01 грн
15+28.70 грн
31+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 11265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.23 грн
25+36.62 грн
100+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 52n7002.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+47.95 грн
3000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 7.5Ohm
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.28 грн
25+40.15 грн
3000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 52n7002.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
255+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 52n7002.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 52n7002.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G MCHP-S-A0006189945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 52n7002.pdf
2N7002-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-G 102n7002-grevb201450.pdf
Виробник: Comchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002/G
Виробник: PHILIPS
SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.