на замовлення 2634000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7002,215 за ціною від 1.61 грн до 18.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2043000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2634000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2043000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 618000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2634000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 618000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 669000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1010023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1010023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 672109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | MOSFET 2N7002/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1165852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002.215 | n-канальний польовий транзистор SOT-23 |
на замовлення 14670 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7002.215 Код товару: 73129 |
Виробник : NXP |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-236AB Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|