
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7615+ | 1.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N7002,215 за ціною від 0.50 грн до 19.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1908000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2403000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1497000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 3706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2403000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1590000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 257250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1497000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1686000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1862858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002.215 | MOSFET 60V 0.3A (1.2A pulse), N Channel SOT-23-3 |
на замовлення 9956 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 257372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 43646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N7002.215 Код товару: 73129
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-236AB Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 380716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43646 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 895801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : NXP |
![]() |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |