
2N7002 Diotec Semiconductor
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7143+ | 1.71 грн |
9000+ | 1.55 грн |
24000+ | 1.42 грн |
45000+ | 1.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002 Diotec Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Можливі заміни 2N7002 Diotec Semiconductor
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002LT1G Код товару: 127379
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD |
у наявності: 517 шт
12 шт - склад
80 шт - РАДІОМАГ-Львів 425 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 29.06.2025
|
|
||||||||||
![]() |
2N7002-7-F Код товару: 186256
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : CJ |
![]() Корпус: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 7211 шт
6691 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ 275 шт - РАДІОМАГ-Львів 189 шт - РАДІОМАГ-Харків 22 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції 2N7002 за ціною від 0.68 грн до 312.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Diotec Electronics |
![]() ![]() |
на замовлення 33500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002 (Hottech, SOT-23-3) Код товару: 47271
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Hottech |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 162699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N7002 Код товару: 179822
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 603000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 936000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 936000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 942000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 229883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 491999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 229863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 229863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2766000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 34121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 489000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 132650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 559 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 526995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 77729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77729 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 87673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 115325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 526995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : UMW |
![]() ![]() кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : HXY MOSFET |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : LGE |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
![]() ![]() |
на замовлення 990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : MLCCBASE |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : JUXING |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : SLKOR |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : GALAXY |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 445 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 1755000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : GALAXY |
![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Diotec Electronics |
![]() ![]() |
на замовлення 41999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 1755000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Aptina Imaging |
![]() ![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Aptina Imaging |
![]() ![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Aptina Imaging |
![]() ![]() |
на замовлення 7876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Aptina Imaging |
![]() ![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : SHIKUES |
![]() ![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd. |
![]() ![]() |
на замовлення 32 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
![]() ![]() |
на замовлення 64507 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002 | Виробник : PanJit International |
![]() ![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |