2N7002LT1G ON
Код товару: 127379
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,115 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N7002LT1G за ціною від 1.18 грн до 23.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002LT1G | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5395 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 303000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 36277 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | onsemi |
MOSFETs 60V 115mA N-Channel |
на замовлення 409619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
на замовлення 531704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 472 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
на замовлення 531704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 640+ | 1.18 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.42 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9934+ | 1.42 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.53 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.15 грн |
| 6000+ | 2.72 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.46 грн |
| 6000+ | 3.99 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 342000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3165+ | 4.46 грн |
| 6000+ | 4.00 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.16 грн |
| 9000+ | 5.51 грн |
| 27000+ | 5.40 грн |
| 51000+ | 5.20 грн |
| 102000+ | 4.80 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 12.80 грн |
| 79+ | 9.61 грн |
| 88+ | 8.60 грн |
| 111+ | 6.55 грн |
| 250+ | 3.08 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 13.67 грн |
| 50+ | 8.63 грн |
| 74+ | 5.79 грн |
| 100+ | 4.77 грн |
| 500+ | 2.98 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| 3000+ | 1.97 грн |
| 6000+ | 1.72 грн |
| 9000+ | 1.58 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.61 грн |
| 31+ | 10.13 грн |
| 50+ | 7.21 грн |
| 100+ | 5.87 грн |
| 500+ | 4.30 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 23.95 грн |
| 51+ | 14.86 грн |
| 72+ | 10.57 грн |
| 100+ | 8.86 грн |
| 500+ | 6.01 грн |
| 3000+ | 3.82 грн |
| 6000+ | 3.42 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 115mA N-Channel
MOSFETs 60V 115mA N-Channel
на замовлення 409619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 531704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 531704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 52242 шт
- 52242 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 166824 шт
- 141383 шт - склад
- 12751 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8190 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 26756 шт
- 20767 шт - склад
- 884 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3560 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 345 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 250000 шт
- 50000 шт - очікується 20.09.2026
- 200000 шт - очікується 01.11.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.55 грн |
| 100 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-07100KL-YAGEO) (резистор SMD) Код товару: 182679
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YAGEO
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 75 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 75 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 15620 шт
- 3700 шт - склад
- 3500 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3420 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |











