Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > 2N7002LT1G ON
2N7002LT1G

2N7002LT1G ON

2n7002lt1g.pdf
Код товару: 127379
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,115 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 4600 шт
  • 4382 шт - склад
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 185 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.60 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2N7002LT1G за ціною від 1.48 грн до 22.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON-Semiconductor info-t2n7002%20ons.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 534240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3379+4.16 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
9000+4.50 грн
27000+4.45 грн
51000+4.28 грн
102000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2200+6.39 грн
2825+4.97 грн
3165+4.44 грн
5906+2.29 грн
7212+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1624+8.65 грн
2219+6.33 грн
2517+5.58 грн
3254+4.16 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 1624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.18 грн
83+9.04 грн
117+6.20 грн
250+5.70 грн
500+4.26 грн
1000+3.81 грн
3000+2.04 грн
6000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2N7002L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.30 грн
50+8.40 грн
74+5.63 грн
100+4.64 грн
500+2.90 грн
1000+2.43 грн
3000+1.92 грн
6000+1.67 грн
9000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 534250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.16 грн
31+9.71 грн
100+6.02 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.85 грн
63+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.43 грн
54+13.93 грн
100+8.65 грн
500+6.11 грн
1000+4.98 грн
3000+3.70 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF MOSFETs 60V 115mA N-Channel
на замовлення 82703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 539109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 539109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G info-t2n7002%20ons.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
2N7002LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 534240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.12 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3379+4.16 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.80 грн
9000+4.50 грн
27000+4.45 грн
51000+4.28 грн
102000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2200+6.39 грн
2825+4.97 грн
3165+4.44 грн
5906+2.29 грн
7212+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1624+8.65 грн
2219+6.33 грн
2517+5.58 грн
3254+4.16 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 1624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+12.18 грн
83+9.04 грн
117+6.20 грн
250+5.70 грн
500+4.26 грн
1000+3.81 грн
3000+2.04 грн
6000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002L.PDF
2N7002LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.30 грн
50+8.40 грн
74+5.63 грн
100+4.64 грн
500+2.90 грн
1000+2.43 грн
3000+1.92 грн
6000+1.67 грн
9000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
2N7002LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 534250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.16 грн
31+9.71 грн
100+6.02 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+19.85 грн
63+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.43 грн
54+13.93 грн
100+8.65 грн
500+6.11 грн
1000+4.98 грн
3000+3.70 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
2N7002LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 115mA N-Channel
на замовлення 82703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2354034.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 539109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2354034.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 539109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Код товару: 106453
4 Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 400000 шт
  • 400000 шт - очікується 18.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 255791 шт
  • 226440 шт - склад
  • 13851 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9500 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 32064 шт
  • 26597 шт - склад
  • 4000 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1467 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Код товару: 52241
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 332 шт
  • 332 шт - очікується 13.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
10+6.00 грн
100+5.40 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Код товару: 60735
2 Додати до обраних Обраний товар
yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 104182 шт
  • 96613 шт - склад
  • 1574 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1440 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3820 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 735 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.