2N7002LT1G ON
Код товару: 127379
Виробник: ONКорпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності 6017 шт:
6000 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N7002LT1G за ціною від 1.05 грн до 19.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 107465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 107465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 499852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2883000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2884000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 459000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 575144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 13192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13192 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 499852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 115mA N-Channel |
на замовлення 78745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONSкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5395 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - MOSFET, N-KANAL, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 575144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 124 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
2N7002LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 389900 шт
389900 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 200941 шт
197690 шт - склад
2251 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
2251 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 5,1 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-075K1L - YAGEO) резистор SMD 5.1k Ohm-±1%--0603 Код товару: 108008
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: YAGEO
SMD резистори > 0603
Номінал: 5,1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 5,1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 1800 шт
1000 шт - РАДІОМАГ-Київ
800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 17.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD) Код товару: 182684
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YAGEO
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 75 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 75 V
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується:
60000 шт
60000 шт - очікується 17.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.06 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 37117 шт
29125 шт - склад
3330 шт - РАДІОМАГ-Київ
3197 шт - РАДІОМАГ-Львів
1465 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3330 шт - РАДІОМАГ-Київ
3197 шт - РАДІОМАГ-Львів
1465 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |








