2N7002LT1G ON


2n7002lt1g.pdf
Код товару: 127379
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,115 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 2584 шт
  • 2108 шт - склад
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 61 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 392 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.60 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2N7002LT1G за ціною від 1.15 грн до 22.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9934+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 9934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
9000+5.78 грн
27000+5.67 грн
51000+5.46 грн
102000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2N7002L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23821 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.14 грн
53+7.86 грн
71+5.84 грн
100+5.00 грн
500+3.54 грн
777+1.22 грн
2139+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.01 грн
30+10.12 грн
50+7.22 грн
100+5.88 грн
500+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF MOSFETs 60V 115mA N-Channel
на замовлення 447438 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+22.91 грн
23+13.20 грн
100+7.05 грн
500+5.02 грн
1000+4.37 грн
3000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 528809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 528809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
640+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9934+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 9934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9678+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.16 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.46 грн
9000+5.78 грн
27000+5.67 грн
51000+5.46 грн
102000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002L.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23821 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.14 грн
53+7.86 грн
71+5.84 грн
100+5.00 грн
500+3.54 грн
777+1.22 грн
2139+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.01 грн
30+10.12 грн
50+7.22 грн
100+5.88 грн
500+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 115mA N-Channel
на замовлення 447438 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.91 грн
23+13.20 грн
100+7.05 грн
500+5.02 грн
1000+4.37 грн
3000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2354034.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 528809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2n7002ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2354034.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 528809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2354034.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
3 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 12801 шт
  • 8801 шт - склад
  • 4000 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 150000 шт
  • 150000 шт - очікується 28.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
6 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 136054 шт
  • 112163 шт - склад
  • 11801 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7890 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Код товару: 106453
4 Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
160+0.13 грн
1000+0.10 грн
10000+0.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Код товару: 60735
3 Додати до обраних Обраний товар
yageo-datasheet-cap.pdf
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 61214 шт
  • 55767 шт - склад
  • 644 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1200 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3278 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 325 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200000 шт
  • 200000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
10000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-07100KL-YAGEO) (резистор SMD)
Код товару: 182679
3 Додати до обраних Обраний товар
rc0603-272842.pdf
Виробник: YAGEO
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 75 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 877 шт
  • 877 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 100000 шт
  • 100000 шт - очікується 28.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
160+0.13 грн
1000+0.10 грн
10000+0.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.