
2N7002A Diotec Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.40 грн |
9000+ | 1.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002A Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N7002A за ціною від 0.78 грн до 10.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5525 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 2914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N7002A Код товару: 161144
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002A | Виробник : KEC |
![]() |
на замовлення 84 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002A | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
2N7002A | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |