2N7002AKS-QX

2N7002AKS-QX Nexperia USA Inc.


Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002AKS-QX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N7002AKS-QX за ціною від 2.94 грн до 28.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002AKS-QX 2N7002AKS-QX Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.12 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QX 2N7002AKS-QX Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - 2N7002AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.06 грн
61+13.58 грн
130+6.34 грн
500+5.12 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QX 2N7002AKS-QX Виробник : Nexperia MOSFETs SOT363 N CHAN 60V
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.63 грн
24+14.09 грн
100+5.58 грн
1000+4.92 грн
3000+4.26 грн
9000+3.08 грн
24000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QX 2N7002AKS-QX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
17+18.50 грн
100+9.01 грн
500+7.05 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QX 2N7002AKS-QX Виробник : NEXPERIA 2n7002aks-q.pdf N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QX 2N7002AKS-QX Виробник : Nexperia 2n7002aks-q.pdf N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AKS-QX 2N7002AKS-QX Виробник : Nexperia 2n7002aks-q.pdf N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.