| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.11 грн |
| 6000+ | 2.08 грн |
| 9000+ | 2.07 грн |
| 24000+ | 1.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002BK,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 440mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції 2N7002BK,215 за ціною від 1.94 грн до 21.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002BK,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002BK,215 | Nexperia |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,6Ohm; 350mA; 440mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215; 2N7002BK T2N7002bkкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002BK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Version: ESD Technology: Trench |
на замовлення 2829 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002BK,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 440mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 37865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002BK,215 | Nexperia |
MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 7028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002BK,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 440mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 37865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2N7002BK,215 | NXP/Nexperia/We-En |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 350 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0.6, Ugs(th) = 2.1 @ 250 мА, Р, Вт = 0,37 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 246 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6727+ | 2.11 грн |
| 6788+ | 2.09 грн |
| 9000+ | 2.08 грн |
| 24000+ | 1.98 грн |
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,6Ohm; 350mA; 440mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215; 2N7002BK T2N7002bk
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,6Ohm; 350mA; 440mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215; 2N7002BK T2N7002bk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 4.13 грн |
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
Technology: Trench
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 4.53 грн |
| 129+ | 3.28 грн |
| 158+ | 2.66 грн |
| 500+ | 2.51 грн |
| 1000+ | 2.33 грн |
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.57 грн |
| 41+ | 7.49 грн |
| 100+ | 4.64 грн |
| 500+ | 3.17 грн |
| 1000+ | 2.78 грн |
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 440mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 440mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 37865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.20 грн |
| 106+ | 7.76 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1500+ | 4.21 грн |
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.40 грн |
| 37+ | 8.83 грн |
| 100+ | 4.75 грн |
| 500+ | 3.42 грн |
| 1000+ | 3.00 грн |
| 3000+ | 2.30 грн |
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 440mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 440mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 37865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 21.75 грн |
| 62+ | 13.20 грн |
| 106+ | 7.76 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1500+ | 4.21 грн |
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 350 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0.6, Ugs(th) = 2.1 @ 250 мА, Р, Вт = 0,37 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 350 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0.6, Ugs(th) = 2.1 @ 250 мА, Р, Вт = 0,37 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.94 грн |








