Продукція > NEXPERIA > 2N7002BKMB,315

2N7002BKMB,315 Nexperia

Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 1062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N7002BKMB,315 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2N7002BKMB,315

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
2N7002BKMB,315	Виробник : NEXPERIA	Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2N7002BKMB,315	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2N7002BKMB,315	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.