Продукція > NEXPERIA USA INC. > 2N7002BKV,115
2N7002BKV,115

2N7002BKV,115 Nexperia USA Inc.

2N7002BKV.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.19 грн
8000+5.41 грн
12000+5.13 грн
20000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002BKV,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N7002BKV,115 за ціною від 5.73 грн до 37.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.18 грн
8000+6.54 грн
24000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.21 грн
8000+6.58 грн
24000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2365+14.99 грн
10000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2365+14.99 грн
10000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 NEXPERIA 2N7002BKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.6nC
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.79 грн
34+12.46 грн
44+9.47 грн
100+7.98 грн
250+7.15 грн
500+6.65 грн
1000+6.40 грн
4000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+23.29 грн
938+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
на замовлення 23642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
17+17.65 грн
100+11.14 грн
500+7.79 грн
1000+6.93 грн
2000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.55 грн
32+23.81 грн
33+23.29 грн
100+14.58 грн
250+13.11 грн
500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2N7002BKV.pdf MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6
на замовлення 49053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2n7002bkv.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+8.18 грн
8000+6.54 грн
24000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2n7002bkv.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+8.21 грн
8000+6.58 грн
24000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2n7002bkv.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2365+14.99 грн
10000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2n7002bkv.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2365+14.99 грн
10000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.6nC
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.79 грн
34+12.46 грн
44+9.47 грн
100+7.98 грн
250+7.15 грн
500+6.65 грн
1000+6.40 грн
4000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2n7002bkv.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
609+23.29 грн
938+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
на замовлення 23642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.51 грн
17+17.65 грн
100+11.14 грн
500+7.79 грн
1000+6.93 грн
2000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2n7002bkv.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+37.55 грн
32+23.81 грн
33+23.29 грн
100+14.58 грн
250+13.11 грн
500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV.pdf
2N7002BKV,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6
на замовлення 49053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002BKV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002BKV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002BKV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.