Продукція > NEXPERIA > 2N7002BKV,115
2N7002BKV,115

2N7002BKV,115 Nexperia


2n7002bkv.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2698+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 2698
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002BKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2N7002BKV,115 за ціною від 4.92 грн до 59.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1773+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 1773
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA 21149129833345392n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.19 грн
8000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 6068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
811+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 811
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 6068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
448+16.36 грн
1000+15.67 грн
3000+14.98 грн
6000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.27 грн
250+10.42 грн
1000+7.68 грн
2000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2N7002BKV.pdf MOSFETs SOT666 2NCH 60V .34A
на замовлення 20571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.09 грн
17+20.57 грн
100+8.68 грн
500+8.00 грн
1000+6.79 грн
2000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
14+23.12 грн
50+16.73 грн
100+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8249A55023E0C4&compId=2N7002BKV.pdf?ci_sign=c1af1200d721d5d9a594a0625323088c38505a42 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.96 грн
12+33.66 грн
50+24.38 грн
100+20.92 грн
250+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8249A55023E0C4&compId=2N7002BKV.pdf?ci_sign=c1af1200d721d5d9a594a0625323088c38505a42 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.96 грн
10+41.94 грн
50+29.25 грн
100+25.10 грн
250+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.