Продукція > NEXPERIA > 2N7002BKV,115
2N7002BKV,115

2N7002BKV,115 Nexperia

2n7002bkv.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1773+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 1773
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002BKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2N7002BKV,115 за ціною від 4.35 грн до 38.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2660+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 2660
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA 21149129833345392n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.43 грн
8000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.87 грн
8000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.06 грн
8000+5.41 грн
12000+4.98 грн
20000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1222+9.99 грн
1600+7.63 грн
2000+6.82 грн
4000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 1222
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 6068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
448+16.87 грн
500+16.64 грн
1000+16.41 грн
3000+15.60 грн
6000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 448
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
15+20.61 грн
100+12.81 грн
500+8.60 грн
1000+6.94 грн
2000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2N7002BKV.pdf MOSFETs 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
на замовлення 53457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.98 грн
16+22.08 грн
100+8.75 грн
500+7.36 грн
1000+6.55 грн
2000+5.89 грн
4000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8249A55023E0C4&compId=2N7002BKV.pdf?ci_sign=c1af1200d721d5d9a594a0625323088c38505a42 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.19 грн
18+21.46 грн
22+18.16 грн
27+14.33 грн
50+12.03 грн
100+10.12 грн
153+5.90 грн
420+5.59 грн
1600+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.27 грн
50+21.62 грн
250+9.57 грн
1000+7.10 грн
2000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8249A55023E0C4&compId=2N7002BKV.pdf?ci_sign=c1af1200d721d5d9a594a0625323088c38505a42 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
11+26.74 грн
13+21.79 грн
25+17.20 грн
50+14.44 грн
100+12.14 грн
153+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Виробник : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.