| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.22 грн |
| 8000+ | 6.57 грн |
| 24000+ | 6.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002BKV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N7002BKV,115 за ціною від 6.06 грн до 37.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002BKV,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 22955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.6nC Version: ESD Technology: Trench |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | Nexperia |
MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 18418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002BKV,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.25 грн |
| 8000+ | 6.61 грн |
| 24000+ | 6.06 грн |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 22955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2365+ | 15.05 грн |
| 10000+ | 13.42 грн |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2365+ | 15.05 грн |
| 10000+ | 13.42 грн |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 771+ | 18.49 грн |
| 938+ | 15.19 грн |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.6nC
Version: ESD
Technology: Trench
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.6nC
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 21.15 грн |
| 30+ | 14.03 грн |
| 39+ | 10.73 грн |
| 100+ | 9.00 грн |
| 250+ | 8.09 грн |
| 500+ | 7.51 грн |
| 1000+ | 7.18 грн |
| 4000+ | 6.44 грн |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.08 грн |
| 17+ | 17.60 грн |
| 50+ | 12.70 грн |
| 100+ | 10.42 грн |
| 500+ | 7.77 грн |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 37.72 грн |
| 32+ | 23.92 грн |
| 42+ | 18.49 грн |
| 100+ | 14.64 грн |
| 250+ | 13.17 грн |
| 500+ | 7.58 грн |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6
MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6
на замовлення 18418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








