на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2698+ | 4.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002BKV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N7002BKV,115 за ціною від 4.52 грн до 42.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 124000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002BKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002BKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002BKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2N7002BKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |