Продукція > NEXPERIA > 2N7002BKVL
2N7002BKVL

2N7002BKVL Nexperia

2n7002bk.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5601+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 5601
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002BKVL Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2N7002BKVL за ціною від 1.63 грн до 17.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : Nexperia 2n7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 179232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7463+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 7463
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : NEXPERIA 21192214384531792n7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : Nexperia 2n7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : Nexperia 2n7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003107873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.78 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.50 грн
44+6.96 грн
100+4.04 грн
500+2.77 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : NEXPERIA 2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 11646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.00 грн
40+9.63 грн
49+7.95 грн
77+4.97 грн
100+4.10 грн
393+2.29 грн
1079+2.17 грн
2500+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : Nexperia 2N7002BK.pdf MOSFETs 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET
на замовлення 28104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.50 грн
41+8.27 грн
100+4.26 грн
500+3.08 грн
1000+2.28 грн
5000+2.13 грн
10000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : NEXPERIA 2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.80 грн
24+12.00 грн
29+9.54 грн
50+5.96 грн
100+4.92 грн
393+2.75 грн
1079+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002BKVL 2N7002BKVL Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003107873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.29 грн
67+12.35 грн
250+7.78 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.