Продукція > INFINEON > 2N7002DWH6327XTSA1
2N7002DWH6327XTSA1

2N7002DWH6327XTSA1 Infineon

T2N7002dwh6327_INFINEON_0001.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DWH6327 T2N7002dwh6327
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N7002DWH6327XTSA1 за ціною від 2.98 грн до 31.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.87 грн
6000+7.08 грн
9000+6.68 грн
15000+6.01 грн
21000+5.32 грн
30000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 98320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.28 грн
250+8.80 грн
1000+5.05 грн
7500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5556+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 5556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 175885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+18.21 грн
1258+11.25 грн
1671+8.47 грн
1894+7.20 грн
3000+4.75 грн
6000+4.51 грн
9000+3.98 грн
15000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002DWH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
на замовлення 10674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.27 грн
34+12.81 грн
50+9.21 грн
100+7.98 грн
500+5.82 грн
1000+5.07 грн
3000+4.11 грн
6000+3.63 грн
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 98320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.26 грн
80+10.28 грн
250+8.80 грн
1000+5.05 грн
7500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 2N7002DW_Rev2_3.pdf MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 27890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.49 грн
23+14.67 грн
100+8.88 грн
500+6.41 грн
1000+5.85 грн
3000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 2N7002DW_Rev2.2_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431a5c32f2011ad94ed41363f2 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
20+15.27 грн
100+9.57 грн
500+6.63 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.12 грн
40+18.86 грн
100+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.87 грн
6000+7.08 грн
9000+6.68 грн
15000+6.01 грн
21000+5.32 грн
30000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 98320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.28 грн
250+8.80 грн
1000+5.05 грн
7500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5556+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 5556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 175885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
777+18.21 грн
1258+11.25 грн
1671+8.47 грн
1894+7.20 грн
3000+4.75 грн
6000+4.51 грн
9000+3.98 грн
15000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
на замовлення 10674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+18.27 грн
34+12.81 грн
50+9.21 грн
100+7.98 грн
500+5.82 грн
1000+5.07 грн
3000+4.11 грн
6000+3.63 грн
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 INFN-S-A0000088793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 98320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+24.26 грн
80+10.28 грн
250+8.80 грн
1000+5.05 грн
7500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW_Rev2_3.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
на замовлення 27890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.49 грн
23+14.67 грн
100+8.88 грн
500+6.41 грн
1000+5.85 грн
3000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW_Rev2.2_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431a5c32f2011ad94ed41363f2
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.17 грн
20+15.27 грн
100+9.57 грн
500+6.63 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+31.12 грн
40+18.86 грн
100+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 61582n7002dw_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.