2N7002DWK-7

2N7002DWK-7 Diodes Zetex


2n7002dwk.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002DWK-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 330mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції 2N7002DWK-7 за ціною від 4.06 грн до 17.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002DWK-7 2N7002DWK-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002DWK.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7 2N7002DWK-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002DWK.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 3256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.33 грн
36+8.46 грн
100+6.65 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7 2N7002DWK-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002DWK.pdf MOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.49 грн
28+11.47 грн
100+7.53 грн
500+5.72 грн
1000+4.95 грн
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWK-7 Виробник : DIODES INCORPORATED 2N7002DWK.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 261mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.04nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.