на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 2.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002DWK-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 330mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2N7002DWK-7 за ціною від 2.39 грн до 15.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 20664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K |
на замовлення 5404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | Виробник : Diodes Inc |
2N7002 Family SOT363 T&R 3K |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 261mA Pulsed drain current: 1.1A Power dissipation: 0.45W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.04nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| 2N7002DWK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 261mA; Idm: 1.1A; 450mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 261mA Pulsed drain current: 1.1A Power dissipation: 0.45W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.04nC |
товару немає в наявності |