Продукція > DIODES INCORPORATED > 2N7002DWS-7
2N7002DWS-7

2N7002DWS-7 Diodes Incorporated

2N7002DWS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.01 грн
6000+4.43 грн
9000+4.34 грн
15000+4.05 грн
21000+3.93 грн
30000+3.77 грн
75000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002DWS-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 290mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції 2N7002DWS-7 за ціною від 4.00 грн до 29.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002DWS-7 2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002DWS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.95 грн
20+16.12 грн
100+9.92 грн
500+7.06 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7 2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002DWS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.50 грн
20+17.88 грн
100+8.38 грн
500+6.95 грн
1000+6.49 грн
3000+4.38 грн
6000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Zetex 2N7002DWS.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Inc 2n7002dws.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7 Виробник : DIODES INCORPORATED 2N7002DWS.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 247mA
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.4nC
Pulsed drain current: 1.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.