Продукція > DIODES INCORPORATED > 2N7002DWS-7
2N7002DWS-7

2N7002DWS-7 Diodes Incorporated

2N7002DWS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.05 грн
6000+5.27 грн
9000+4.98 грн
15000+4.38 грн
21000+4.20 грн
30000+4.03 грн
75000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002DWS-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 290mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції 2N7002DWS-7 за ціною від 4.24 грн до 31.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002DWS-7 2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002DWS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.44 грн
20+17.18 грн
100+10.81 грн
500+7.55 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7 2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002DWS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.28 грн
20+18.96 грн
100+8.88 грн
500+7.36 грн
1000+6.88 грн
3000+4.64 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Zetex 2N7002DWS.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Zetex 2N7002DWS.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Inc 2n7002dws.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.