2N7002DWS-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.84 грн |
| 6000+ | 4.36 грн |
| 9000+ | 4.07 грн |
| 15000+ | 3.80 грн |
| 21000+ | 3.78 грн |
| 30000+ | 3.77 грн |
| 75000+ | 3.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002DWS-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 290mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції 2N7002DWS-7 за ціною від 3.88 грн до 30.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002DWS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7002DWS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 2501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Виробник : Diodes Zetex |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Виробник : Diodes Inc |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 247mA Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.4nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| 2N7002DWS-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 247mA; Idm: 1.8A; 370mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 247mA Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.4nC |
товару немає в наявності |