Продукція > SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD. > 2N7002E
2N7002E

2N7002E Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 32623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.47 грн
6000+1.25 грн
9000+1.17 грн
15000+1.00 грн
21000+0.95 грн
30000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002E Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.

Інші пропозиції 2N7002E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002E Виробник : NXP SOT23/SOT323
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E Виробник : SILICONIX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E 2N7002E Виробник : Vishay 70860.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E 2N7002E Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Description: 60V 300MA 3@10V,500MA 225MW N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E 2N7002E Виробник : Diodes Incorporated ds30376-1591960.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E 2N7002E Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT 2N70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E 2N7002E Виробник : Panasonic 2N7002E_E-947480.pdf MOSFETs Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002E 2N7002E Виробник : onsemi MOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.