Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N7002ET1G
2N7002ET1G

2N7002ET1G ON Semiconductor

2n7002e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9037+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 9037
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N7002ET1G за ціною від 0.99 грн до 17.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6579+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 6579
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5837+2.17 грн
9000+2.09 грн
27000+2.02 грн
51000+1.93 грн
102000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 5837
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.35 грн
6199+2.04 грн
9000+2.02 грн
15000+1.93 грн
21000+1.77 грн
30000+1.68 грн
75000+1.66 грн
150000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5051+2.50 грн
6000+2.23 грн
15000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 5051
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.52 грн
6000+2.19 грн
9000+2.17 грн
15000+2.06 грн
21000+1.89 грн
30000+1.80 грн
75000+1.78 грн
150000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
9000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4717+2.68 грн
6000+2.25 грн
9000+2.22 грн
15000+2.11 грн
21000+1.95 грн
30000+1.85 грн
75000+1.83 грн
150000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 4717
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4673+2.71 грн
6025+2.10 грн
9000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 4673
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.90 грн
6000+2.44 грн
9000+2.41 грн
15000+2.29 грн
21000+2.11 грн
30000+2.00 грн
75000+1.98 грн
150000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.06 грн
6000+2.63 грн
9000+2.47 грн
15000+2.15 грн
21000+2.05 грн
30000+1.95 грн
75000+1.71 грн
150000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3093+4.09 грн
3192+3.96 грн
3659+3.46 грн
4839+2.52 грн
6000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3093
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 126421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.13 грн
1500+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.17 грн
105+3.99 грн
163+2.56 грн
193+2.16 грн
500+1.55 грн
1000+1.37 грн
1500+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.60 грн
63+4.98 грн
98+3.07 грн
116+2.60 грн
500+1.86 грн
1000+1.65 грн
1500+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1634+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 1634
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+10.65 грн
96+7.55 грн
164+4.27 грн
250+3.91 грн
500+3.64 грн
1000+3.17 грн
3000+2.40 грн
6000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 252439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.55 грн
38+8.98 грн
100+5.55 грн
500+3.80 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 0A26CB980E3023CF9E9D1A5E765EAA089C4D4D0C34F628A5BE68013527505EF5.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 311252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+16.86 грн
40+9.37 грн
100+4.63 грн
500+3.43 грн
1000+3.27 грн
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 126421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+17.83 грн
91+9.94 грн
171+5.25 грн
500+4.13 грн
1500+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G Виробник : ON-Semiconductor 2n7002e-d.pdf N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.