Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N7002ET1G
2N7002ET1G

2N7002ET1G ON Semiconductor

2n7002e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9037+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 9037
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N7002ET1G за ціною від 0.97 грн до 15.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6579+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 6579
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.31 грн
6277+1.98 грн
9000+1.96 грн
15000+1.88 грн
21000+1.72 грн
30000+1.63 грн
75000+1.62 грн
150000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5051+2.46 грн
6000+2.20 грн
15000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 5051
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.48 грн
6000+2.12 грн
9000+2.11 грн
15000+2.01 грн
21000+1.84 грн
30000+1.75 грн
75000+1.74 грн
150000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.57 грн
9000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4747+2.62 грн
6000+2.18 грн
9000+2.15 грн
15000+2.05 грн
21000+1.89 грн
30000+1.79 грн
75000+1.77 грн
150000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 4747
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4673+2.66 грн
6025+2.06 грн
9000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 4673
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.82 грн
6000+2.35 грн
9000+2.32 грн
15000+2.21 грн
21000+2.03 грн
30000+1.93 грн
75000+1.90 грн
150000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.99 грн
6000+2.57 грн
9000+2.42 грн
15000+2.10 грн
21000+2.01 грн
30000+1.91 грн
75000+1.67 грн
150000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4144+3.00 грн
9000+2.97 грн
27000+2.88 грн
51000+2.56 грн
102000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 4144
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3481+3.57 грн
3513+3.54 грн
3659+3.40 грн
4839+2.48 грн
6000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3481
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 129207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.98 грн
1500+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1624+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 1624
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+10.19 грн
99+7.20 грн
100+7.15 грн
184+3.73 грн
250+3.42 грн
500+3.25 грн
1000+3.12 грн
3000+2.36 грн
6000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.33 грн
64+6.31 грн
98+4.11 грн
116+3.46 грн
500+2.48 грн
1000+2.21 грн
1500+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.39 грн
38+7.87 грн
59+4.93 грн
100+4.15 грн
500+2.97 грн
1000+2.65 грн
1500+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 202512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.94 грн
37+8.79 грн
100+5.43 грн
500+3.72 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 0A26CB980E3023CF9E9D1A5E765EAA089C4D4D0C34F628A5BE68013527505EF5.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 338244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.40 грн
42+8.47 грн
100+3.91 грн
500+3.30 грн
1000+3.15 грн
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 129207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.41 грн
102+8.49 грн
197+4.37 грн
500+3.98 грн
1500+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G Виробник : ON-Semicoductor 2n7002e-d.pdf N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.