Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N7002ET1G
2N7002ET1G

2N7002ET1G ON Semiconductor

2n7002e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7390+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 7390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 420mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm.

Інші пропозиції 2N7002ET1G за ціною від 0.84 грн до 16.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6225+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 6225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5837+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 5837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5837+2.43 грн
9000+2.34 грн
27000+2.30 грн
51000+2.16 грн
102000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 5837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 329150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.81 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
9000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.49 грн
6000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4066+3.49 грн
6000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 4066 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.01 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2301+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 2301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1737+8.16 грн
2378+5.96 грн
2703+5.24 грн
3497+3.91 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1583+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 1583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.86 грн
86+8.83 грн
87+8.77 грн
122+5.98 грн
250+5.50 грн
500+4.07 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 329434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.93 грн
35+8.85 грн
100+5.45 грн
500+3.73 грн
1000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 216500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.40 грн
35+9.40 грн
100+5.10 грн
500+3.70 грн
1000+3.21 грн
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 72681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.94 грн
101+8.07 грн
131+6.24 грн
500+4.43 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 72681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.94 грн
101+8.07 грн
131+6.24 грн
500+4.43 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G ON Semiconductor 2N7002E-D_ONS.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6225+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 6225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5837+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 5837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5837+2.43 грн
9000+2.34 грн
27000+2.30 грн
51000+2.16 грн
102000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 5837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 329150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.81 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.40 грн
9000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.49 грн
6000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4066+3.49 грн
6000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 4066 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.01 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2301+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 2301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1737+8.16 грн
2378+5.96 грн
2703+5.24 грн
3497+3.91 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1583+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 1583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
64+11.86 грн
86+8.83 грн
87+8.77 грн
122+5.98 грн
250+5.50 грн
500+4.07 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 329434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.93 грн
35+8.85 грн
100+5.45 грн
500+3.73 грн
1000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 216500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.40 грн
35+9.40 грн
100+5.10 грн
500+3.70 грн
1000+3.21 грн
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 72681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
49+16.94 грн
101+8.07 грн
131+6.24 грн
500+4.43 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 72681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+16.94 грн
101+8.07 грн
131+6.24 грн
500+4.43 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E-D_ONS.PDF
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1597 шт
В кошику  од. на суму  грн.