Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N7002ET1G
2N7002ET1G

2N7002ET1G ON Semiconductor

2n7002e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.10 грн
6000+1.69 грн
9000+1.67 грн
15000+1.45 грн
21000+1.33 грн
30000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N7002ET1G за ціною від 0.95 грн до 14.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.18 грн
6000+2.03 грн
9000+1.76 грн
15000+1.64 грн
21000+1.59 грн
30000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5475+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 5475
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
6000+2.03 грн
9000+1.94 грн
15000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5137+2.37 грн
6000+2.09 грн
9000+1.99 грн
15000+1.61 грн
21000+1.48 грн
30000+1.32 грн
75000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 5137
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4762+2.56 грн
9000+2.41 грн
27000+2.33 грн
51000+2.14 грн
102000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 4762
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 148502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.57 грн
1500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2896+4.20 грн
3547+3.43 грн
3866+3.15 грн
4262+2.75 грн
6000+2.30 грн
15000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 2896
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1878+6.48 грн
2995+4.07 грн
6000+4.05 грн
12000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 1878
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+8.64 грн
96+6.32 грн
97+6.28 грн
154+3.79 грн
250+3.48 грн
500+2.73 грн
1000+2.51 грн
3000+2.27 грн
6000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 129793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.34 грн
43+7.18 грн
100+3.86 грн
500+3.34 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 379387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.48 грн
44+7.68 грн
100+3.48 грн
500+3.41 грн
1000+3.19 грн
3000+2.10 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 148502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.57 грн
107+7.68 грн
206+3.96 грн
500+3.57 грн
1500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G Виробник : ON-Semicoductor 2n7002e-d.pdf N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.