Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > 2N7002ET1G
2N7002ET1G

2N7002ET1G ON-Semiconductor

info-t2n7002et1g.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET1G ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 420mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm.

Інші пропозиції 2N7002ET1G за ціною від 0.84 грн до 20.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5339+2.64 грн
9000+2.52 грн
27000+2.40 грн
51000+2.26 грн
102000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 5339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.85 грн
6000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3741+3.77 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1493+9.46 грн
1797+7.86 грн
2773+5.09 грн
3798+3.58 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 1493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.81nC
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
61+6.94 грн
88+4.84 грн
105+4.06 грн
500+2.94 грн
1000+2.62 грн
1500+2.45 грн
3000+2.20 грн
6000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.48 грн
82+9.19 грн
93+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.82 грн
34+9.22 грн
50+6.55 грн
100+5.34 грн
500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.71 грн
59+12.79 грн
80+9.46 грн
100+7.58 грн
500+4.54 грн
3000+3.19 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G onsemi 2N7002E-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 186137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 53674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 53674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G ON Semiconductor 2N7002E-D_ONS.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5339+2.64 грн
9000+2.52 грн
27000+2.40 грн
51000+2.26 грн
102000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 5339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.85 грн
6000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.77 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3741+3.77 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1493+9.46 грн
1797+7.86 грн
2773+5.09 грн
3798+3.58 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 1493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E.PDF
2N7002ET1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.81nC
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.85 грн
61+6.94 грн
88+4.84 грн
105+4.06 грн
500+2.94 грн
1000+2.62 грн
1500+2.45 грн
3000+2.20 грн
6000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+12.48 грн
82+9.19 грн
93+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.82 грн
34+9.22 грн
50+6.55 грн
100+5.34 грн
500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.71 грн
59+12.79 грн
80+9.46 грн
100+7.58 грн
500+4.54 грн
3000+3.19 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 186137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 53674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 53674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2354032.pdf
2N7002ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002E-D_ONS.PDF
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 260 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25, Qg, нКл = 0,81 @ 5 В, Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1597 шт
В кошику  од. на суму  грн.