2N7002ET1G

2N7002ET1G ON Semiconductor


2n7002e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9037+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 9037
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002ET1G за ціною від 1.16 грн до 15.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
6000+1.92 грн
9000+1.65 грн
15000+1.53 грн
21000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.42 грн
6000+1.95 грн
9000+1.88 грн
15000+1.64 грн
21000+1.47 грн
30000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5051+2.42 грн
6000+2.16 грн
15000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 5051
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4919+2.48 грн
9000+2.35 грн
27000+2.27 грн
51000+2.09 грн
102000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 4919
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4919+2.48 грн
6123+1.99 грн
9000+1.98 грн
15000+1.67 грн
21000+1.50 грн
30000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 4919
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4747+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4747
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.81 грн
6000+2.26 грн
9000+2.18 грн
15000+1.90 грн
21000+1.70 грн
30000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3547+3.44 грн
3606+3.38 грн
3713+3.29 грн
5883+2.00 грн
6579+1.66 грн
15000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3547
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.70 грн
1500+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3233+3.77 грн
4673+2.61 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3233
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+9.55 грн
110+6.34 грн
111+6.30 грн
188+3.59 грн
250+3.29 грн
500+3.11 грн
1000+3.02 грн
3000+2.71 грн
6000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E523D3C5A480D2&compId=2N7002E.PDF?ci_sign=f6115950a09ebe5219ed22ec5aca5ee68011428a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.82 грн
54+7.37 грн
86+4.61 грн
104+3.80 грн
411+2.23 грн
1129+2.11 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
на замовлення 67150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.21 грн
48+6.67 грн
100+3.43 грн
500+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 341133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.61 грн
48+7.36 грн
100+3.31 грн
500+3.24 грн
1000+3.09 грн
3000+2.03 грн
6000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E523D3C5A480D2&compId=2N7002E.PDF?ci_sign=f6115950a09ebe5219ed22ec5aca5ee68011428a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.19 грн
32+9.19 грн
52+5.53 грн
100+4.55 грн
411+2.67 грн
1129+2.53 грн
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ONSEMI 2354032.pdf Description: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 144947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.12 грн
107+7.96 грн
206+4.11 грн
500+3.70 грн
1500+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G Виробник : ON-Semicoductor 2n7002e-d.pdf N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET1G 2N7002ET1G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.