| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35000+ | 1.84 грн |
| 42000+ | 1.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002ET7G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N7002ET7G за ціною від 1.72 грн до 13.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002ET7G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002ET7G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002ET7G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002ET7G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002ET7G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002ET7G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A |
на замовлення 173 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002ET7G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 13919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002ET7G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO |
на замовлення 258531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|