Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N7002ET7G
2N7002ET7G

2N7002ET7G ON Semiconductor

2n7002e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 35000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET7G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002ET7G за ціною від 1.73 грн до 13.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35000+1.80 грн
42000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 35000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6638+1.92 грн
10500+1.82 грн
28000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 6638
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5661+2.25 грн
7000+2.17 грн
10500+2.14 грн
17500+2.03 грн
24500+1.86 грн
35000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 5661
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+2.42 грн
7000+2.32 грн
10500+2.30 грн
17500+2.17 грн
24500+1.99 грн
35000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+2.65 грн
7000+2.28 грн
10500+2.14 грн
17500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.83 грн
68+6.07 грн
101+4.08 грн
121+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.60 грн
41+7.56 грн
61+4.90 грн
100+4.09 грн
1000+2.36 грн
3500+1.86 грн
7000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : onsemi 2N7002E-D.PDF MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 310mA, 2.5 ohm
на замовлення 421336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+13.41 грн
44+8.42 грн
100+3.54 грн
500+3.07 грн
1000+2.99 грн
3500+1.81 грн
7000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 20699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.63 грн
41+8.04 грн
100+4.97 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.