Продукція > ONSEMI > 2N7002ET7G
2N7002ET7G

2N7002ET7G onsemi

2N7002E-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+2.61 грн
7000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET7G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002ET7G за ціною від 1.61 грн до 19.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002ET7G 2N7002ET7G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G ONSEMI 2N7002E.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.81nC
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.42 грн
53+7.97 грн
100+4.73 грн
200+4.04 грн
500+3.25 грн
586+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G onsemi 2N7002E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.75 грн
35+8.67 грн
50+6.19 грн
100+5.04 грн
500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G onsemi 2N7002E-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
на замовлення 204752 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
16+19.92 грн
27+11.51 грн
100+6.11 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
3500+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET7G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5173+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET7G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4465+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2n7002e-d.pdf
2N7002ET7G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002E.PDF
2N7002ET7G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.81nC
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.42 грн
53+7.97 грн
100+4.73 грн
200+4.04 грн
500+3.25 грн
586+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET7G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.75 грн
35+8.67 грн
50+6.19 грн
100+5.04 грн
500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002E-D.PDF
2N7002ET7G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
на замовлення 204752 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.92 грн
27+11.51 грн
100+6.11 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
3500+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.