Продукція > ONSEMI > 2N7002ET7G
2N7002ET7G

2N7002ET7G onsemi

2n7002e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+1.91 грн
7000+1.48 грн
10500+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002ET7G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002ET7G за ціною від 1.36 грн до 11.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E523D3C5A480D2&compId=2N7002E.PDF?ci_sign=f6115950a09ebe5219ed22ec5aca5ee68011428a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.33 грн
61+6.46 грн
92+4.32 грн
109+3.62 грн
604+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 15052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.82 грн
45+7.01 грн
102+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : onsemi 2n7002e-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
на замовлення 453113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.12 грн
45+7.74 грн
100+3.03 грн
1000+2.65 грн
3500+1.74 грн
7000+1.44 грн
10500+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E523D3C5A480D2&compId=2N7002E.PDF?ci_sign=f6115950a09ebe5219ed22ec5aca5ee68011428a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.20 грн
37+8.05 грн
55+5.18 грн
100+4.34 грн
604+1.84 грн
1659+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G Виробник : Aptina Imaging 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5227+2.35 грн
10500+2.26 грн
28000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 5227
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G Виробник : ONS 2n7002e-d.pdf Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, Id=0.31A, Rds=5Ohm, Vgs=3V, P=0.3W, smd.
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
32+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002ET7G 2N7002ET7G Виробник : ON Semiconductor 2n7002e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.