Продукція > ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED > 2N7002EY
2N7002EY

2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

2N7002EY.pdf
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.50 грн
15000+1.30 грн
21000+1.23 грн
30000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2N7002EY за ціною від 0.86 грн до 9.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002EY 2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002EY.pdf Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.38 грн
53+5.72 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY Anbon Semiconductor 2N7002EY.pdf 2N7002EY
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16484+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 16484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY.pdf
2N7002EY
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.38 грн
53+5.72 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY.pdf
Виробник: Anbon Semiconductor
2N7002EY
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16484+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 16484 шт
В кошику  од. на суму  грн.