Технічний опис 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції 2N7002H6327XTSA2 за ціною від 2.30 грн до 24.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002hкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002hкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002hкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4266 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 17297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 17297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 |
на замовлення 59974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 241 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6148+ | 2.30 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6073+ | 2.33 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5953+ | 2.38 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12346+ | 2.87 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.97 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.97 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.97 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.23 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.27 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4274+ | 3.31 грн |
| 4412+ | 3.21 грн |
| 5000+ | 3.12 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.75 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3769+ | 3.75 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1468+ | 9.64 грн |
| 2055+ | 6.88 грн |
| 2517+ | 5.62 грн |
| 2543+ | 5.36 грн |
| 3907+ | 3.23 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 10.05 грн |
| 61+ | 7.04 грн |
| 81+ | 5.24 грн |
| 100+ | 4.64 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1000+ | 3.16 грн |
| 3000+ | 2.88 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 17297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.11 грн |
| 250+ | 7.76 грн |
| 1000+ | 4.50 грн |
| 12000+ | 2.78 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.86 грн |
| 33+ | 9.39 грн |
| 100+ | 5.83 грн |
| 500+ | 4.00 грн |
| 1000+ | 3.53 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 17297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 21.71 грн |
| 82+ | 10.11 грн |
| 250+ | 7.76 грн |
| 1000+ | 4.50 грн |
| 12000+ | 2.78 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 59974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.01 грн |
| 24+ | 14.02 грн |
| 100+ | 7.47 грн |
| 500+ | 5.36 грн |
| 1000+ | 4.65 грн |
| 3000+ | 4.09 грн |
| 6000+ | 3.45 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








