2N7002HSX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.56 грн |
| 6000+ | 3.95 грн |
| 9000+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002HSX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 420mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N7002HSX за ціною від 3.63 грн до 31.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002HSX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002HSX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 420mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002HSX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002HSX | Nexperia |
MOSFETs SOT363 N-CH 60V .32A |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002HSX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 420mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002HSX | NXP/Nexperia/We-En |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 34 @ 10, Qg, нКл = 0,5, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 100 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| 2N7002HSX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.96 грн |
| 6000+ | 5.88 грн |
| 9000+ | 5.82 грн |
| 12000+ | 5.59 грн |
| 15000+ | 5.02 грн |
| 30000+ | 4.54 грн |
| 2N7002HSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.89 грн |
| 500+ | 8.09 грн |
| 1500+ | 6.65 грн |
| 2N7002HSX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.00 грн |
| 24+ | 12.86 грн |
| 100+ | 8.06 грн |
| 500+ | 5.58 грн |
| 1000+ | 4.94 грн |
| 2N7002HSX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT363 N-CH 60V .32A
MOSFETs SOT363 N-CH 60V .32A
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 23.14 грн |
| 24+ | 13.73 грн |
| 100+ | 7.54 грн |
| 500+ | 5.52 грн |
| 1000+ | 4.96 грн |
| 3000+ | 4.05 грн |
| 6000+ | 3.63 грн |
| 2N7002HSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 31.20 грн |
| 50+ | 18.82 грн |
| 100+ | 11.89 грн |
| 500+ | 8.09 грн |
| 1500+ | 6.65 грн |
| 2N7002HSX |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 34 @ 10, Qg, нКл = 0,5, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 34 @ 10, Qg, нКл = 0,5, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.59 грн |





