Продукція > DIODES INCORPORATED > 2N7002K-7-W
2N7002K-7-W

2N7002K-7-W Diodes Incorporated

2N7002K.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.13 грн
6000+2.69 грн
9000+2.53 грн
15000+2.20 грн
21000+2.10 грн
30000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-7-W Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002K-7-W за ціною від 3.42 грн до 15.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002K-7-W 2N7002K-7-W Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 30945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
33+9.19 грн
100+5.66 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7-W Diodes Incorporated 2N7002K.pdf MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7-W 2N7002K.pdf
2N7002K-7-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 30945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.64 грн
33+9.19 грн
100+5.66 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7-W 2N7002K.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.