
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002K-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N7002K-7 за ціною від 1.22 грн до 14.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 354000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 25236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 356368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 168639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 25236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N7002K7 | 2N7002K7 Транзисторы |
на замовлення 952 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
2N7002K-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |