Продукція > DIODES INC > 2N7002K-7
2N7002K-7

2N7002K-7 Diodes Inc

ds30896.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N7002K-7 за ціною від 1.21 грн до 14.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.17 грн
6000+1.88 грн
9000+1.67 грн
15000+1.52 грн
21000+1.40 грн
30000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.29 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B341A3FEBB38BF&compId=2N7002K.pdf?ci_sign=a5796b9e9d2ee2ff6d802b6491e2f0a7324f7c77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.42 грн
82+4.85 грн
146+2.74 грн
248+1.61 грн
272+1.46 грн
500+1.39 грн
1000+1.30 грн
3000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B341A3FEBB38BF&compId=2N7002K.pdf?ci_sign=a5796b9e9d2ee2ff6d802b6491e2f0a7324f7c77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.31 грн
50+6.05 грн
88+3.28 грн
149+1.93 грн
250+1.76 грн
500+1.67 грн
1000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002K.pdf MOSFETs N-Channel
на замовлення 100878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.30 грн
42+8.52 грн
100+4.66 грн
500+2.98 грн
1000+2.60 грн
3000+2.21 грн
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 306057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.39 грн
47+6.84 грн
100+4.24 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012992590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.56 грн
121+7.09 грн
165+5.21 грн
500+4.29 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K7 2N7002K7 Транзисторы
на замовлення 952 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 Виробник : DIODES/ZETEX 2N7002K.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 2N7002K-7 Виробник : Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-7 Виробник : Diodes Inc ds30896.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.