Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > 2N7002K-AU_R1_000A2
2N7002K-AU_R1_000A2

2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor

2N7002K-AU.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.85 грн
58+6.84 грн
102+3.88 грн
472+1.95 грн
1297+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2N7002K-AU_R1_000A2 за ціною від 1.96 грн до 14.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 Виробник : Panjit International Inc. 2N7002K-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.24 грн
43+7.47 грн
100+4.61 грн
500+3.15 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 Виробник : Panjit 2N7002K_AU-1869507.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 17230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.65 грн
43+8.24 грн
100+4.45 грн
500+3.24 грн
1000+2.72 грн
3000+2.11 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 Виробник : PanJit Semiconductor 2N7002K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.22 грн
35+8.52 грн
100+4.66 грн
472+2.34 грн
1297+2.22 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 Виробник : Panjit International Inc. 2N7002K-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-AU-R1-000A2 2N7002K-AU-R1-000A2 Виробник : Panjit 2N7002K_AU-1869507.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.