
2N7002K-AU_R1_000A2 Panjit
на замовлення 15987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
31+ | 11.42 грн |
45+ | 7.61 грн |
100+ | 2.94 грн |
1000+ | 2.65 грн |
3000+ | 2.06 грн |
9000+ | 1.69 грн |
24000+ | 1.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002K-AU_R1_000A2 Panjit
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002K-AU_R1_000A2 за ціною від 2.22 грн до 14.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002K-AU_R1_000A2 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 2A Application: automotive industry |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002K-AU_R1_000A2 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002K-AU_R1_000A2 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 2A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002K-AU_R1_000A2 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2N7002K-AU-R1-000A2 | Виробник : Panjit |
![]() |
товару немає в наявності |