Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > 2N7002K_R1_00001
2N7002K_R1_00001

2N7002K_R1_00001 Panjit International Inc.

2N7002K.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.60 грн
6000+1.37 грн
9000+1.28 грн
15000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002K_R1_00001 за ціною від 1.78 грн до 8.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 PanJit 2n7002k190918rev.04.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3513+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002K.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
на замовлення 16882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.86 грн
62+4.92 грн
101+3.01 грн
500+2.04 грн
1000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 PanJit Semiconductor 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.15 грн
91+4.62 грн
150+2.81 грн
500+2.04 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 PanJit 2n7002k190918rev.04.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2041 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2n7002k190918rev.04.pdf
2N7002K_R1_00001
Виробник: PanJit
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3513+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K.pdf
2N7002K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
на замовлення 16882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+7.86 грн
62+4.92 грн
101+3.01 грн
500+2.04 грн
1000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K.pdf
2N7002K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
56+8.15 грн
91+4.62 грн
150+2.81 грн
500+2.04 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2n7002k190918rev.04.pdf
2N7002K_R1_00001
Виробник: PanJit
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2041 шт
В кошику  од. на суму  грн.