2N7002K_R1_00001

2N7002K_R1_00001 PanJit Semiconductor


2N7002K.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.25 грн
72+5.36 грн
124+3.10 грн
682+1.32 грн
1874+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K_R1_00001 PanJit Semiconductor

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002K_R1_00001 за ціною від 1.32 грн до 9.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. 2N7002K.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.75 грн
54+5.75 грн
104+2.96 грн
500+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : Panjit 2N7002K-1869773.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 230691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.78 грн
52+6.51 грн
100+2.94 грн
1000+2.57 грн
3000+1.54 грн
9000+1.47 грн
24000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+9.90 грн
43+6.68 грн
100+3.72 грн
682+1.58 грн
1874+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit 2N7002K.pdf N-channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3513+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3513
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. 2N7002K.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-R1-00001 2N7002K-R1-00001 Виробник : Panjit 2N7002K-1869773.pdf MOSFETs SOT23 60V 3A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K R1 00001 2N7002K R1 00001 Виробник : Panjit 2N7002K-1869773.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.