Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > 2N7002K_R1_00001
2N7002K_R1_00001

2N7002K_R1_00001 Panjit International Inc.

2N7002K.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.61 грн
6000+1.37 грн
9000+1.28 грн
15000+1.10 грн
21000+1.05 грн
30000+0.99 грн
75000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002K_R1_00001 за ціною від 1.26 грн до 10.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.95 грн
81+5.08 грн
136+3.02 грн
500+2.08 грн
1000+1.79 грн
3000+1.42 грн
6000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. 2N7002K.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
на замовлення 100155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.52 грн
67+4.92 грн
109+3.02 грн
500+2.04 грн
1000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : Panjit B6E4CBD8413D7EBD11B9FD8C5356F10834788C613ADCA58A40C94B1B78EED297.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 97944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+9.46 грн
66+5.52 грн
106+2.99 грн
500+2.20 грн
1000+1.89 грн
3000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.54 грн
49+6.34 грн
100+3.62 грн
500+2.50 грн
1000+2.15 грн
3000+1.70 грн
6000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit 2N7002K.pdf N-channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3513+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3513
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit 2N7002K.pdf N-channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2632+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-R1-00001 2N7002K-R1-00001 Виробник : Panjit 2N7002K-1869773.pdf MOSFETs SOT23 60V 3A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K R1 00001 2N7002K R1 00001 Виробник : Panjit 2N7002K-1869773.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.