Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > 2N7002K_R1_00001
2N7002K_R1_00001

2N7002K_R1_00001 Panjit International Inc.

2N7002K.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.62 грн
6000+1.38 грн
9000+1.29 грн
15000+1.11 грн
21000+1.05 грн
30000+1.00 грн
75000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002K_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002K_R1_00001 за ціною від 1.43 грн до 10.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+8.02 грн
91+4.55 грн
150+2.76 грн
500+2.01 грн
1000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. 2N7002K.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
на замовлення 81099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.59 грн
67+4.97 грн
110+3.03 грн
500+2.05 грн
1000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : Panjit B6E4CBD8413D7EBD11B9FD8C5356F10834788C613ADCA58A40C94B1B78EED297.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 92691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+9.55 грн
66+5.57 грн
106+3.02 грн
500+2.22 грн
1000+1.91 грн
3000+1.51 грн
6000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.63 грн
55+5.67 грн
100+3.32 грн
500+2.41 грн
1000+2.13 грн
3000+1.73 грн
6000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit 2N7002K.pdf N-channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3513+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3513
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit 2N7002K.pdf N-channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2552+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 2552
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K_R1_00001 Виробник : PanJit 2N7002K.pdf N-channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-R1-00001 2N7002K-R1-00001 Виробник : Panjit 2N7002K-1869773.pdf MOSFETs SOT23 60V 3A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K R1 00001 2N7002K R1 00001 Виробник : Panjit 2N7002K-1869773.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.