2N7002KDW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.29 грн |
| 6000+ | 2.05 грн |
| 9000+ | 1.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KDW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002KDW-AU_R1_000A1 за ціною від 2.19 грн до 20.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002KDW-AU_R1_000A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KDW-AU_R1_000A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KDW-AU_R1_000A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002KDW-AU_R1_000A1 | Виробник : Panjit |
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
на замовлення 33624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|