2N7002KDW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.97 грн |
| 30+ | 9.95 грн |
| 50+ | 7.13 грн |
| 100+ | 5.81 грн |
| 500+ | 4.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
19 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KDW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002KDW-AU_R1_000A1 за ціною від 5.43 грн до 19.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002KDW-AU_R1_000A1 | PanJit |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.8nC Application: automotive industry |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
| 2N7002KDW-AU_R1_000A1 | PanJit |
2N7002KDW-AU_R1_000A1 |
на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2N7002KDW-AU_R1_000A1 |
|
Виробник: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Application: automotive industry
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Application: automotive industry
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 19.42 грн |
| 36+ | 11.56 грн |
| 2N7002KDW-AU_R1_000A1 |
|
Виробник: PanJit
2N7002KDW-AU_R1_000A1
2N7002KDW-AU_R1_000A1
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1622+ | 8.78 грн |
| 1911+ | 7.45 грн |
| 3000+ | 5.43 грн |