2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2N7002KDW_R1_00001 за ціною від 1.54 грн до 11.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002KDW_R1_00001 | PanJit |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KDW_R1_00001 | Panjit International Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 4172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KDW_R1_00001 | Panjit |
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
на замовлення 6227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 2N7002KDW_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4871+ | 2.91 грн |
| 2N7002KDW_R1_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.00 грн |
| 50+ | 6.13 грн |
| 100+ | 3.78 грн |
| 500+ | 2.57 грн |
| 1000+ | 2.25 грн |
| 2N7002KDW_R1_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.24 грн |
| 49+ | 6.58 грн |
| 100+ | 3.56 грн |
| 500+ | 2.58 грн |
| 1000+ | 2.23 грн |
| 3000+ | 1.82 грн |
| 9000+ | 1.54 грн |




