2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc.


2N7002KDW.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.55 грн
6000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції 2N7002KDW_R1_00001 за ціною від 2.80 грн до 13.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 PanJit 62n7002kdw160525rev.04.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4871+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 4871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 PanJit 62n7002kdw160525rev.04.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2165+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 2165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002KDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.09 грн
40+7.56 грн
100+4.66 грн
500+3.18 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 Panjit 8B0184B3F160471A27C520DDD0A6D87B80613CFFF177B08B6571A132846B754F.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KDW_R1_00001 62n7002kdw160525rev.04.pdf
Виробник: PanJit
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4871+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 4871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KDW_R1_00001 62n7002kdw160525rev.04.pdf
Виробник: PanJit
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2165+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 2165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.09 грн
40+7.56 грн
100+4.66 грн
500+3.18 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KDW_R1_00001 8B0184B3F160471A27C520DDD0A6D87B80613CFFF177B08B6571A132846B754F.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.