
2N7002KPW-AQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET, SOT-323, 60V, 0.31A, 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 8.22 грн |
56+ | 5.70 грн |
100+ | 3.85 грн |
500+ | 3.19 грн |
1000+ | 2.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KPW-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - 2N7002KPW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 275mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2N7002KPW-AQ за ціною від 1.29 грн до 9.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002KPW-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002KPW-AQ | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002KPW-AQ | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N7002KPW-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002KPW-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002KPW-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002KPW-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.275W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.275W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Version: ESD Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002KPW-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2N7002KPW-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.275W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.275W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Version: ESD Application: automotive industry |
товару немає в наявності |