Продукція > DIODES INCORPORATED > 2N7002KQ-7
2N7002KQ-7

2N7002KQ-7 DIODES INCORPORATED

2N7002K.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.50 грн
54+7.64 грн
100+5.52 грн
345+2.72 грн
948+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 39 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002KQ-7 DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 370mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Інші пропозиції 2N7002KQ-7 за ціною від 7.58 грн до 21.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Diodes Incorporated 2N7002KQ.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.50 грн
23+13.01 грн
28+10.71 грн
50+8.72 грн
100+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQ-7 Diodes Incorporated 2N7002KQ.pdf MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQ-7 2N7002KQ.pdf
2N7002KQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.50 грн
23+13.01 грн
28+10.71 грн
50+8.72 грн
100+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQ-7 DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
2N7002KQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQ-7 DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
2N7002KQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQ-7 2N7002KQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.