2N7002KQBZ Nexperia
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 3.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KQBZ Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 720mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 960mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.635ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N7002KQBZ за ціною від 2.77 грн до 24.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002KQBZ | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KQBZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 7768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N7002KQBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N7002KQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 720mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 960mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.635ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KQBZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 7768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2N7002KQBZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
на замовлення 10351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 720mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KQBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 23832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| 2N7002KQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
2N7002KQBZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| 2N7002KQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 720mA; Idm: 2.9A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 720mA Power dissipation: 0.42W Case: DFN1010D-3; SOT1215 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 610pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 2.9A Version: ESD Technology: Trench кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| 2N7002KQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 720mA; Idm: 2.9A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 720mA Power dissipation: 0.42W Case: DFN1010D-3; SOT1215 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 610pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 2.9A Version: ESD Technology: Trench |
товару немає в наявності |