на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3500+ | 1.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KT7G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002KT7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2N7002K, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7002KT7G за ціною від 1.50 грн до 15.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002KT7G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2N7002KT7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002K productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002KT7G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KT7G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002KT7G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 45500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KT7G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002KT7G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 5260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KT7G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
на замовлення 48047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KT7G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002KT7G | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFET 60V 380mA 1.6 ohm |
на замовлення 47378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KT7G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |