2N7002KW Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 60V 340MA 5@10V,500MA 200MW 2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KW Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N7002KW за ціною від 1.96 грн до 30.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002KW | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 60V 340MA 5@10V,500MA 200MW 2.5V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 5605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7002KW | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7002KW | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Version: ESD |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N7002KW | Виробник : onsemi |
MOSFETs NCHAN Enhance MOSFET |
на замовлення 118231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 101185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2N7002KW | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002KW | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002KW Код товару: 128158
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |