2N7002KW onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.39 грн |
| 6000+ | 4.97 грн |
| 9000+ | 4.3 грн |
| 30000+ | 3.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KW onsemi
Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції 2N7002KW за ціною від 3.23 грн до 30.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002KW | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 10402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 68246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7002KW | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET NCHAN Enhance MOSFET |
на замовлення 147227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2N7002KW | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2N7002KW | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
2N7002KW Код товару: 128158 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2N7002KW | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7002KW | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
товар відсутній |