
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6697+ | 1.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2N7002L, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції 2N7002L за ціною від 1.42 грн до 17.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 32480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7788000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4989000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 75468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 135580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 292180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2965841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 135580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
2N7002L |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
2N7002-L |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |