Технічний опис 2N7002LT7G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N7002LT7G за ціною від 1.56 грн до 14.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002LT7G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002LT7G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002LT7G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002LT7G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002LT7G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 29812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002LT7G | onsemi |
MOSFETs SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5O |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 2N7002LT7G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3500+ | 2.72 грн |
| 7000+ | 2.35 грн |
| 10500+ | 2.21 грн |
| 17500+ | 1.92 грн |
| 24500+ | 1.84 грн |
| 2N7002LT7G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 254+ | 2.97 грн |
| 369+ | 2.05 грн |
| 2N7002LT7G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 253+ | 2.99 грн |
| 422+ | 1.79 грн |
| 485+ | 1.56 грн |
| 2N7002LT7G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4088+ | 3.46 грн |
| 7000+ | 3.24 грн |
| 14000+ | 3.02 грн |
| 2N7002LT7G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 29812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.95 грн |
| 37+ | 8.21 грн |
| 100+ | 5.05 грн |
| 500+ | 3.47 грн |
| 1000+ | 3.05 грн |
| 2N7002LT7G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5O
MOSFETs SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5O
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.55 грн |
| 37+ | 8.63 грн |
| 100+ | 4.68 грн |
| 500+ | 3.44 грн |
| 1000+ | 3.03 грн |
| 3500+ | 2.41 грн |
| 7000+ | 2.14 грн |





