
2N7002LT7G ON Semiconductor
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6977+ | 1.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002LT7G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N7002LT7G за ціною від 1.24 грн до 17.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 34257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 43205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 11601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002LT7G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
2N7002LT7G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
2N7002LT7G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A |
товару немає в наявності |