Продукція > NEXPERIA > 2N7002NXAKR
2N7002NXAKR

2N7002NXAKR Nexperia

ac79967c75d45426d9d6425830bae42d_TECH_PUBLIC.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002NXAKR Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 265mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.

Інші пропозиції 2N7002NXAKR за ціною від 1.03 грн до 13.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXAK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
9000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR NEXPERIA 2N7002NXAK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.43nC
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
100+4.15 грн
139+2.99 грн
159+2.62 грн
500+2.00 грн
1000+1.79 грн
3000+1.51 грн
6000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXAK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 529476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
53+5.68 грн
74+4.05 грн
100+3.29 грн
500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2N7002NXAK.pdf MOSFETs 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 507920 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
31+10.30 грн
70+4.40 грн
100+3.39 грн
500+2.50 грн
1000+2.36 грн
3000+1.18 грн
24000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.24 грн
95+8.20 грн
132+5.89 грн
152+4.92 грн
250+4.51 грн
500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 74096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 74096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAK.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.88 грн
9000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAK.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.43nC
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.26 грн
100+4.15 грн
139+2.99 грн
159+2.62 грн
500+2.00 грн
1000+1.79 грн
3000+1.51 грн
6000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAK.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 529476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.32 грн
53+5.68 грн
74+4.05 грн
100+3.29 грн
500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAK.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 507920 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.30 грн
70+4.40 грн
100+3.39 грн
500+2.50 грн
1000+2.36 грн
3000+1.18 грн
24000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+13.24 грн
95+8.20 грн
132+5.89 грн
152+4.92 грн
250+4.51 грн
500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2842563.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 74096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2n7002nxak.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2842563.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 74096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2842563.pdf
2N7002NXAKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.