Продукція > NEXPERIA > 2N7002NXAKR
2N7002NXAKR

2N7002NXAKR NEXPERIA

2n7002nxak.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 49710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
431+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002NXAKR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 265mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N7002NXAKR за ціною від 1.08 грн до 17.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11451+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 11451
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11030+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 11030
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10949+1.13 грн
11030+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 10949
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5102+1.21 грн
15000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 5102
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8551+1.21 грн
9000+1.20 грн
15000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 8551
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10136+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 10136
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002NXAK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.61 грн
1500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2084+6.68 грн
5000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 2084
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002NXAK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 216259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.28 грн
46+6.86 грн
65+4.89 грн
100+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : NEXPERIA 2N7002NXAK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.73 грн
48+8.28 грн
71+5.56 грн
100+4.66 грн
500+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2N7002NXAK.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 60V .3A
на замовлення 275994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.89 грн
46+7.57 грн
65+4.69 грн
100+4.09 грн
1000+2.80 грн
3000+2.12 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : NEXPERIA 2N7002NXAK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.28 грн
29+10.31 грн
50+6.68 грн
100+5.59 грн
500+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.91 грн
81+10.53 грн
126+6.77 грн
500+4.61 грн
1500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR Виробник : NXP 2N7002NXAK.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR Виробник : NXP 2N7002NXAK.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR Виробник : Nexperia Inc. 2N7002NXAK.pdf MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Виробник : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.