Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002NXBKR Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Інші пропозиції 2N7002NXBKR за ціною від 1.68 грн до 16.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7002NXBKR | NXP |
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKRкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 9446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .27A |
на замовлення 9524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.9A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 9446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 532 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2915 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: NXP
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
кількість в упаковці: 1000 шт
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.68 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2915+ | 3.24 грн |
| 3000+ | 2.80 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 9446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.26 грн |
| 125+ | 6.45 грн |
| 500+ | 4.35 грн |
| 1500+ | 3.52 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .27A
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .27A
на замовлення 9524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 12.48 грн |
| 48+ | 6.75 грн |
| 100+ | 4.07 грн |
| 500+ | 3.45 грн |
| 1000+ | 3.04 грн |
| 3000+ | 1.79 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 13.30 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 13.88 грн |
| 100+ | 12.84 грн |
| 250+ | 12.32 грн |
| 500+ | 12.30 грн |
| 3000+ | 12.28 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 988+ | 14.35 грн |
| 3000+ | 14.33 грн |
| 6000+ | 13.81 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 9446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 16.83 грн |
| 87+ | 9.26 грн |
| 125+ | 6.45 грн |
| 500+ | 4.35 грн |
| 1500+ | 3.52 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







