2N7002NXBKR NXP
Виробник: NXP
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002NXBKR NXP
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Інші пропозиції 2N7002NXBKR за ціною від 1.75 грн до 14.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002NXBKR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 41193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.9A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1nC Version: ESD Technology: Trench |
на замовлення 2147 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 53235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 285 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 41193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 8360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 8360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.18 грн |
| 9000+ | 1.75 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6608+ | 2.19 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 348+ | 2.22 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2605+ | 5.56 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2547+ | 5.69 грн |
| 3522+ | 4.12 грн |
| 3686+ | 3.93 грн |
| 5906+ | 2.37 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Version: ESD
Technology: Trench
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 7.16 грн |
| 84+ | 4.98 грн |
| 95+ | 4.40 грн |
| 150+ | 2.78 грн |
| 500+ | 2.08 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 53235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 10.09 грн |
| 49+ | 6.20 грн |
| 68+ | 4.43 грн |
| 100+ | 3.58 грн |
| 500+ | 2.60 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 285 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 50+ | 6.18 грн |
| 100+ | 3.83 грн |
| 500+ | 2.80 грн |
| 1000+ | 2.65 грн |
| 3000+ | 2.06 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 14.32 грн |
| 89+ | 8.69 грн |
| 90+ | 8.62 грн |
| 121+ | 6.20 грн |
| 139+ | 4.97 грн |
| 250+ | 4.72 грн |
| 500+ | 3.45 грн |
| 1000+ | 3.23 грн |
| 3000+ | 2.62 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1013+ | 14.32 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 14.80 грн |
| 118+ | 6.57 грн |
| 137+ | 5.68 грн |
| 500+ | 3.96 грн |
| 1000+ | 3.49 грн |
| 3000+ | 2.22 грн |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







