Продукція > NXP > 2N7002NXBKR
2N7002NXBKR

2N7002NXBKR NXP

T2N7002NXBKR_NXP_0001.pdf
Виробник: NXP
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002NXBKR NXP

Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції 2N7002NXBKR за ціною від 1.62 грн до 14.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.02 грн
9000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6608+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 6608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+5.41 грн
3598+3.96 грн
3847+3.70 грн
5017+2.74 грн
6049+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 2632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2605+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 2605 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2556+5.57 грн
3530+4.03 грн
3704+3.84 грн
5929+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 2556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2547+5.59 грн
3522+4.04 грн
3686+3.86 грн
5906+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 2547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR NEXPERIA 2N7002NXBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+7.95 грн
76+5.46 грн
87+4.75 грн
138+3.00 грн
500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 54011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.03 грн
49+6.16 грн
69+4.34 грн
100+3.53 грн
500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.07 грн
89+8.54 грн
90+8.47 грн
121+6.10 грн
139+4.88 грн
250+4.64 грн
500+3.39 грн
1000+3.17 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.42 грн
119+6.40 грн
138+5.53 грн
500+3.86 грн
1000+3.41 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2N7002NXBK.pdf MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 20903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBK.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.02 грн
9000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
353+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6608+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 6608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2632+5.41 грн
3598+3.96 грн
3847+3.70 грн
5017+2.74 грн
6049+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 2632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2605+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 2605 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2556+5.57 грн
3530+4.03 грн
3704+3.84 грн
5929+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 2556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2547+5.59 грн
3522+4.04 грн
3686+3.86 грн
5906+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 2547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBK.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+7.95 грн
76+5.46 грн
87+4.75 грн
138+3.00 грн
500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBK.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 54011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.03 грн
49+6.16 грн
69+4.34 грн
100+3.53 грн
500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+14.07 грн
89+8.54 грн
90+8.47 грн
121+6.10 грн
139+4.88 грн
250+4.64 грн
500+3.39 грн
1000+3.17 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.42 грн
119+6.40 грн
138+5.53 грн
500+3.86 грн
1000+3.41 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBK.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 20903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2842564.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2842564.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2842564.pdf
2N7002NXBKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.