Продукція > NEXPERIA > 2N7002NXBKR
2N7002NXBKR

2N7002NXBKR NEXPERIA

2n7002nxbk.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
413+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002NXBKR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N7002NXBKR за ціною від 0.93 грн до 13.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8130+0.96 грн
9000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 8130
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7353+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 7353
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6356+1.92 грн
9000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 6356
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6173+1.98 грн
18000+1.81 грн
27000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 6173
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8130+2.03 грн
15000+1.88 грн
21000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 8130
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4164+2.06 грн
6000+1.71 грн
9000+1.44 грн
15000+1.24 грн
21000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 4164
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.11 грн
6000+1.80 грн
9000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5495+2.22 грн
6697+1.82 грн
9000+1.74 грн
15000+1.67 грн
21000+1.34 грн
30000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 5495
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5475+2.23 грн
6850+1.78 грн
9000+1.57 грн
15000+1.36 грн
21000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 5475
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4935+2.47 грн
9000+2.32 грн
15000+2.14 грн
21000+1.96 грн
30000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
532+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 532
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.73 грн
1500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1186+6.37 грн
3000+6.35 грн
6000+6.33 грн
15000+6.09 грн
30000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 1186
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1780+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 1780
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 10127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
49+6.36 грн
100+3.89 грн
500+2.65 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : NEXPERIA 2N7002NXBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.9A
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.55 грн
50+7.66 грн
61+6.36 грн
127+3.02 грн
500+1.87 грн
607+1.47 грн
1669+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+12.30 грн
107+7.78 грн
158+5.24 грн
500+3.73 грн
1500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2N7002NXBK.pdf MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 286409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.05 грн
47+7.28 грн
100+3.31 грн
1000+2.13 грн
3000+2.06 грн
9000+1.69 грн
24000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : NEXPERIA 2N7002NXBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.9A
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.86 грн
30+9.55 грн
37+7.63 грн
100+3.62 грн
500+2.24 грн
607+1.77 грн
1669+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR Виробник : NXP 2N7002NXBK.pdf 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Виробник : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.