2N7002P,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.69 грн |
| 6000+ | 2.31 грн |
| 9000+ | 2.17 грн |
| 15000+ | 1.88 грн |
| 21000+ | 1.79 грн |
| 30000+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002P,215 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002P,215 за ціною від 1.68 грн до 14.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002P,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N7002P,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 38280 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 138108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N7002P,215 | Nexperia |
MOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
2N7002P,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 220091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 220091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.88 грн |
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4902+ | 2.88 грн |
| 7010+ | 2.01 грн |
| 9000+ | 1.99 грн |
| 15000+ | 1.83 грн |
| 21000+ | 1.68 грн |
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.29 грн |
| 6000+ | 2.30 грн |
| 9000+ | 2.29 грн |
| 15000+ | 2.10 грн |
| 21000+ | 1.92 грн |
| 30000+ | 1.82 грн |
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4274+ | 3.30 грн |
| 6123+ | 2.30 грн |
| 9000+ | 2.29 грн |
| 15000+ | 2.10 грн |
| 21000+ | 1.92 грн |
| 30000+ | 1.83 грн |
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.91 грн |
| 71+ | 5.94 грн |
| 99+ | 4.23 грн |
| 113+ | 3.71 грн |
| 150+ | 3.45 грн |
| 500+ | 2.69 грн |
| 1000+ | 2.22 грн |
| 1500+ | 1.97 грн |
| 3000+ | 1.84 грн |
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 138108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.08 грн |
| 38+ | 7.98 грн |
| 100+ | 4.93 грн |
| 500+ | 3.36 грн |
| 1000+ | 2.95 грн |
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB
MOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002P,215 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)