Продукція > NEXPERIA USA INC. > 2N7002P,215
2N7002P,215

2N7002P,215 Nexperia USA Inc.

2N7002P.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 319200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.93 грн
9000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002P,215 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 420mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.

Інші пропозиції 2N7002P,215 за ціною від 2.01 грн до 14.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.49 грн
9000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA 2N7002P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Technology: Trench
на замовлення 136757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
37+12.08 грн
54+7.72 грн
76+5.44 грн
100+4.73 грн
150+4.37 грн
500+3.32 грн
1500+2.57 грн
3000+2.19 грн
9000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia USA Inc. 2N7002P.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.66 грн
35+8.69 грн
50+6.16 грн
100+5.03 грн
500+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.47 грн
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4077+3.49 грн
9000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P.pdf
2N7002P,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Technology: Trench
на замовлення 136757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+12.08 грн
54+7.72 грн
76+5.44 грн
100+4.73 грн
150+4.37 грн
500+3.32 грн
1500+2.57 грн
3000+2.19 грн
9000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.66 грн
35+8.69 грн
50+6.16 грн
100+5.03 грн
500+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002P,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002P,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002P,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 420mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.