Продукція > NEXPERIA USA INC. > 2N7002P,215
2N7002P,215

2N7002P,215 Nexperia USA Inc.

2N7002P.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.61 грн
6000+2.24 грн
9000+2.11 грн
15000+1.83 грн
21000+1.74 грн
30000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002P,215 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2N7002P,215 за ціною від 1.83 грн до 13.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
6000+3.31 грн
9000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3827+3.70 грн
6000+3.31 грн
9000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3827 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA 2N7002P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
71+5.90 грн
99+4.20 грн
113+3.68 грн
150+3.42 грн
500+2.68 грн
1000+2.20 грн
1500+1.96 грн
3000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia USA Inc. 2N7002P.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 172951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
39+7.78 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2N7002P.pdf MOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
39+8.26 грн
100+4.49 грн
500+3.24 грн
1000+2.83 грн
3000+2.35 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.70 грн
6000+3.31 грн
9000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3827+3.70 грн
6000+3.31 грн
9000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3827 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P.pdf
2N7002P,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.84 грн
71+5.90 грн
99+4.20 грн
113+3.68 грн
150+3.42 грн
500+2.68 грн
1000+2.20 грн
1500+1.96 грн
3000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 172951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.20 грн
39+7.78 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215 2N7002P.pdf
2N7002P,215
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.85 грн
39+8.26 грн
100+4.49 грн
500+3.24 грн
1000+2.83 грн
3000+2.35 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.