
2N7002P,215 Nexperia
на замовлення 21950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6088+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002P,215 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002P,215 за ціною від 1.23 грн до 13.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 552000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 24400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 534000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1323000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2271000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2271000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1323000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1407000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 33992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 33992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 19596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 535567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19596 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 790078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N7002P,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |