
2N7002PS,115 Nexperia
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2841+ | 2.66 грн |
3000+ | 2.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002PS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 320mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N7002PS,115 за ціною від 2.72 грн до 25.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1887000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2835000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1887000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 94346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 94346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 23336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 151399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
2N7002PS,115 |
![]() |
на замовлення 660000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7002PS,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |