Продукція > NEXPERIA USA INC. > 2N7002PV,115
2N7002PV,115

2N7002PV,115 Nexperia USA Inc.

2N7002PV.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.30 грн
12000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002PV,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

Інші пропозиції 2N7002PV,115 за ціною від 4.95 грн до 33.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.29 грн
8000+6.60 грн
12000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3087+11.48 грн
10000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3087+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia USA Inc. 2N7002PV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
20+15.41 грн
50+11.11 грн
100+9.10 грн
500+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.46 грн
37+20.52 грн
100+12.75 грн
500+9.00 грн
1000+7.32 грн
2000+6.20 грн
4000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2n7002pv.pdf
2N7002PV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.29 грн
8000+6.60 грн
12000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2n7002pv.pdf
2N7002PV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2n7002pv.pdf
2N7002PV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3087+11.48 грн
10000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2n7002pv.pdf
2N7002PV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3087+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV.pdf
2N7002PV,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.41 грн
20+15.41 грн
50+11.11 грн
100+9.10 грн
500+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2n7002pv.pdf
2N7002PV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+33.46 грн
37+20.52 грн
100+12.75 грн
500+9.00 грн
1000+7.32 грн
2000+6.20 грн
4000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002PV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002PV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.