| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3087+ | 11.48 грн |
| 10000+ | 10.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3087 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002PV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Інші пропозиції 2N7002PV,115 за ціною від 4.42 грн до 33.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002PV,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002PV,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666 |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002PV,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N7002PV,115 | Nexperia |
MOSFETs 2N7002PV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2N7002PV,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 6265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2N7002PV,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 6265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N7002PV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3087+ | 11.48 грн |
| 2N7002PV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.08 грн |
| 21+ | 14.28 грн |
| 50+ | 10.26 грн |
| 100+ | 8.40 грн |
| 2N7002PV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.14 грн |
| 38+ | 20.33 грн |
| 53+ | 14.52 грн |
| 100+ | 12.05 грн |
| 500+ | 6.99 грн |
| 4000+ | 4.42 грн |
| 2N7002PV,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002PV/SOT666/SOT6
MOSFETs 2N7002PV/SOT666/SOT6
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7002PV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002PV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






