Продукція > NEXPERIA > 2N7002PV,115
2N7002PV,115

2N7002PV,115 Nexperia

2n7002pv.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002PV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N7002PV,115 за ціною від 3.37 грн до 28.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : NEXPERIA 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 476000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002PV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.90 грн
8000+3.87 грн
12000+3.70 грн
20000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5301+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 5301
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.76 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.63 грн
63+13.14 грн
121+6.83 грн
500+5.76 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002PV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.34 грн
21+15.18 грн
100+7.22 грн
500+5.72 грн
1000+5.08 грн
2000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Виробник : Nexperia 2N7002PV.pdf MOSFETs NRND for Automotive Applications 2N7002PV/SOT666/SOT6
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.44 грн
20+17.01 грн
100+6.08 грн
1000+4.91 грн
4000+4.39 грн
8000+3.59 грн
24000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 Виробник : NEXPERIA 2N7002PV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 Виробник : NEXPERIA 2N7002PV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.