Продукція > NEXPERIA > 2N7002PV,115

2N7002PV,115 Nexperia


2n7002pv.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3087+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 3087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3087 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002PV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

Інші пропозиції 2N7002PV,115 за ціною від 4.51 грн до 33.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3087+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 3087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia USA Inc. 2N7002PV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.68 грн
21+14.56 грн
50+10.44 грн
100+8.55 грн
500+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2N7002PV.pdf MOSFETs 2N7002PV/SOT666/SOT6
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
12+26.45 грн
26+11.61 грн
100+8.78 грн
500+7.90 грн
1000+6.51 грн
2000+6.22 грн
4000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Nexperia 2n7002pv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.75 грн
37+20.69 грн
52+14.79 грн
100+12.27 грн
500+7.12 грн
4000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2n7002pv.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3087+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 3087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT666
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.68 грн
21+14.56 грн
50+10.44 грн
100+8.55 грн
500+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2N7002PV.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs 2N7002PV/SOT666/SOT6
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.45 грн
26+11.61 грн
100+8.78 грн
500+7.90 грн
1000+6.51 грн
2000+6.22 грн
4000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 2n7002pv.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+33.75 грн
37+20.69 грн
52+14.79 грн
100+12.27 грн
500+7.12 грн
4000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PV,115 NEXP-S-A0003059690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002PV,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.