Продукція > NEXPERIA > 2N7002PW,115
2N7002PW,115

2N7002PW,115 NEXPERIA

2n7002pw.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002PW,115 NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2N7002PW,115 за ціною від 2.10 грн до 25.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : NEXPERIA 2n7002pw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002PW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
9000+3.12 грн
15000+2.73 грн
21000+2.61 грн
30000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : Nexperia 2n7002pw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6638+4.67 грн
10000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 6638
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.90 грн
1500+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : NEXPERIA 2N7002PW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A; 0.26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.56 грн
63+6.45 грн
72+5.62 грн
104+3.90 грн
250+3.34 грн
500+2.69 грн
1000+2.48 грн
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : NEXPERIA 2N7002PW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A; 0.26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.47 грн
38+8.04 грн
44+6.74 грн
100+4.69 грн
250+4.01 грн
500+3.23 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : Nexperia USA Inc. 2N7002PW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.43 грн
30+10.97 грн
100+6.87 грн
500+4.73 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : Nexperia 2N7002PW.pdf MOSFETs 2N7002PW/SOT323/SC-70
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.66 грн
24+15.14 грн
50+9.45 грн
100+8.29 грн
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 Виробник : NXP 2N7002PW.pdf N-MOSFET 60V 0.31A 1.6mΩ 260mW 2N7002PW NXP T2N7002pw
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW,115 2N7002PW,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.