2N7002PW,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.23 грн |
| 6000+ | 2.79 грн |
| 9000+ | 2.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002PW,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002PW,115 за ціною від 2.07 грн до 27.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A; 0.26W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.26W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8305 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 2N7002PW/SOT323/SC-70 |
на замовлення 87950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| 2N7002PW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002PW,115 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.3A, SOT323tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
2N7002PW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |




