
2N7002PW Diotec Semiconductor

Description: MOSFET, SOT-323, 60V, 0.315A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002PW Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, SOT-323, 60V, 0.315A, 15, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2N7002PW за ціною від 2.06 грн до 13.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002PW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1.2A; 0.26W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.26W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002PW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1.2A; 0.26W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.26W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002PW | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N7002PW | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V |
на замовлення 5756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N7002PW | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002PW | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |