2N7002PW Diotec Semiconductor


2n7002pw.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 315MA SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002PW Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002PW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 315 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 315mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.

Інші пропозиції 2N7002PW за ціною від 3.16 грн до 14.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7002PW 2N7002PW DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7002pw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.26W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.6nC
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
64+6.63 грн
81+5.23 грн
100+4.70 грн
500+3.60 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW 2N7002PW Diotec Semiconductor 2n7002pw.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 315MA SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.30 грн
52+5.92 грн
100+4.82 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW 2N7002PW DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7002pw.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002PW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 315 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW 2N7002PW DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7002pw.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002PW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 315 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW Diotec Semiconductor 2n7002pw.pdf 2N7002PW
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW 2n7002pw.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.26W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.6nC
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.84 грн
64+6.63 грн
81+5.23 грн
100+4.70 грн
500+3.60 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW 2n7002pw.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 315MA SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
37+8.30 грн
52+5.92 грн
100+4.82 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW 2n7002pw.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002PW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 315 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW 2n7002pw.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002PW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 315 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PW 2n7002pw.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
2N7002PW
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1299 шт
В кошику  од. на суму  грн.