Продукція > COMCHIP TECHNOLOGY > 2N7002W-G

2N7002W-G Comchip Technology

Виробник: Comchip Technology
MOSFET MOSFET N-CH 60V 0.25A

на замовлення 1849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	28.36 грн
18+	19.44 грн
100+	6.97 грн
1000+	5.22 грн
3000+	4.14 грн
9000+	3.56 грн
24000+	3.34 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N7002W-G Comchip Technology

Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2N7002W-G

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2N7002W-G	Виробник : Comchip Technology	Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	2N7002W-G	Виробник : Comchip Technology	Description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.