
2N7002W Diotec Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002W Diotec Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 2.53 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 78V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.53ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7002W за ціною від 0.69 грн до 63.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 134587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 134587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT323 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 12989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134587 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 78V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.53ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT323 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 12989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 12314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 78V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.53ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
2N7002W | Виробник : LGE |
![]() |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002W | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7002W | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |