2N7002W LGE
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE; 2N7002W T2N7002W LGE
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002W LGE
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 78V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm.
Інші пропозиції 2N7002W за ціною від 0.87 грн до 51.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002W | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 143026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | onsemi |
Description: MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM |
на замовлення 564000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT323 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10995 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 128262 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | onsemi |
Description: MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM |
на замовлення 566507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | onsemi |
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 50413 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N7002W | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 280mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 78V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm |
на замовлення 2251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002W | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm |
на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 78V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm |
на замовлення 2251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002W | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002W | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N7002W | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N7002W | LGE |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Rds = 7,5 Ом, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.91 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6522+ | 2.19 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 143026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4121+ | 3.46 грн |
| 5264+ | 2.71 грн |
| 9000+ | 2.17 грн |
| 15000+ | 1.91 грн |
| 21000+ | 1.67 грн |
| 45000+ | 1.44 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
Description: MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.98 грн |
| 6000+ | 6.10 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT323
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT323
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 7.39 грн |
| 145+ | 2.87 грн |
| 415+ | 2.28 грн |
| 1145+ | 2.16 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 8.91 грн |
| 80+ | 5.21 грн |
| 127+ | 3.26 грн |
| 154+ | 2.69 грн |
| 500+ | 1.79 грн |
| 1000+ | 1.54 грн |
| 1027+ | 0.92 грн |
| 2827+ | 0.87 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 745+ | 19.16 грн |
| 1372+ | 10.41 грн |
| 1502+ | 9.50 грн |
| 1667+ | 8.26 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 32.96 грн |
| 21+ | 20.18 грн |
| 25+ | 17.04 грн |
| 50+ | 11.91 грн |
| 100+ | 10.59 грн |
| 500+ | 7.53 грн |
| 1000+ | 6.37 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
Description: MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
на замовлення 566507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.56 грн |
| 15+ | 20.84 грн |
| 50+ | 15.05 грн |
| 100+ | 12.36 грн |
| 500+ | 9.25 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 50413 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 51.48 грн |
| 10+ | 35.32 грн |
| 100+ | 19.42 грн |
| 500+ | 11.95 грн |
| 1000+ | 8.80 грн |
| 3000+ | 7.92 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 78V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 78V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 78V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 78V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: LGE
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Rds = 7,5 Ом, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Rds = 7,5 Ом, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.60 грн |
| 100+ | 7.20 грн |












