2N718A MOT



Виробник: MOT

на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N718A MOT

Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2N718A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N718A 2N718A Microchip Technology Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N718A Microchip Technology 2N718A_2N1613_LDS_0200_MIL_PRF_19500_181.pdf Bipolar Transistors - BJT 30V 500mA 500mW NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N718A 2N718A Microchip Technology lds-0200.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N718A 2N718A Microchip Technology lds-0200.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N718A
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N718A 2N718A_2N1613_LDS_0200_MIL_PRF_19500_181.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 30V 500mA 500mW NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N718A lds-0200.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N718A lds-0200.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.